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1. (WO2019005230) DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE DE LIGNE DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/005230 N° de la demande internationale : PCT/US2018/022502
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 14.03.2018
CIB :
G11C 11/56 (2006.01) ,G06N 3/02 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 29/02 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 29/50 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
3
Systèmes de calculateurs basés sur des modèles biologiques
02
utilisant des modèles de réseaux neuronaux
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
02
Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3
Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
06
Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
50
Test marginal, p.ex. test de vitesse, de tension ou de courant
Déposants :
WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5601 Great Oaks Parkway San Jose, CA 95119, US
Inventeurs :
KIRSHENBAUM, Roi; US
INBAR, Karin; US
GOLDENBERG, Idan; US
YANG, Nian, Niles; US
ROM, Rami; US
BAZARSKY, Alexander; US
NAVON, Ariel; US
REUSSWIG, Philip, David; US
Mandataire :
ALTMAN, Daniel, E.; US
Données relatives à la priorité :
15/640,35630.06.2017US
Titre (EN) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
(FR) DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE DE LIGNE DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Systems and methods are described for generating location-based read voltage offsets in a data storage device. Optimal read voltage thresholds vary across memory elements of a device. However, data storage devices are often limited in the number of read voltage thresholds that can be maintained in the device. Thus, it may not be possible to maintain optimal read voltage parameters for each memory element within a device. The systems and methods described herein provide for increased accuracy of read voltage thresholds when applied to memory elements within a specific location in a device, by enabling the use of location-based read voltage offsets, depending on a relative location of the memory element being read from. The read voltage offsets can be determined based on application of a neural network to data regarding optimal read voltage thresholds determined from at least a sample of memory elements in a device.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de générer un décalage de tension de lecture basé sur l'emplacement dans un dispositif de stockage de données. Des seuils optimaux de tension de lecture varient à travers les éléments de mémoire d'un dispositif. Cependant, les dispositifs de stockage de données sont souvent limités dans le nombre de seuils de tension de lecture qui peuvent être conservés dans le dispositif. Ainsi, il n'est pas possible de maintenir des paramètres de tension de lecture optimaux pour chaque élément de mémoire à l'intérieur d'un dispositif. Les systèmes et les procédés décrits ici fournissent une précision accrue de seuils de tension de lecture lorsqu'ils sont appliqués à des éléments de mémoire à l'intérieur d'un emplacement spécifique dans un dispositif, en permettant l'utilisation de décalages de tension de lecture basés sur l'emplacement, en fonction d'un emplacement relatif de l'élément de mémoire en cours de lecture à partir de. Les décalages de tension de lecture peuvent être déterminés sur la base de l'application d'un réseau neuronal à des données concernant des seuils de tension de lecture optimaux déterminés à partir d'au moins un échantillon d'éléments de mémoire dans un dispositif.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)