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1. (WO2019005177) LOGIQUE SPIN-ORBITE MAGNÉTOÉLECTRIQUE AVEC UN AIMANT SEMI-ISOLANT FORMANT UNE COUCHE D'INJECTION DE SPIN SEMI-ISOLANTE
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N° de publication : WO/2019/005177 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040527
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
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DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
LIU, Huichu; US
KARNIK, Tanay; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETOELECTRIC SPIN ORBIT LOGIC WITH A SEMI INSULATING MAGNET FORMING A SEMI INSULATING SPIN INJECTION LAYER
(FR) LOGIQUE SPIN-ORBITE MAGNÉTOÉLECTRIQUE AVEC UN AIMANT SEMI-ISOLANT FORMANT UNE COUCHE D'INJECTION DE SPIN SEMI-ISOLANTE
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a magnet with non-insulating properties; a semi-insulating or insulating magnet adjacent to the magnet; and a stack of layers, a portion of which is adjacent to the magnet with non-insulating properties, wherein the stack of layers is to provide an inverse spin-orbit coupling effect; a layer exhibiting magnetoelectric properties; and a conductor coupled to at least a portion of the stack of layers and the layer.
(FR) La présente invention concerne un appareil qui comprend : un aimant ayant des propriétés non isolantes ; un aimant semi-isolant ou isolant adjacent à l'aimant ; et un empilement de couches dont une partie est adjacente à l'aimant avec des propriétés non isolantes, l'empilement de couches étant destiné à fournir un effet de couplage spin-orbite inverse ; une couche présentant des propriétés magnétoélectriques ; et un conducteur couplé à au moins une partie de l'empilement de couches et de la couche.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)