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1. (WO2019005168) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/005168 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040511
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KARPOV, Elijah V.; US
KENCKE, David L.; US
MAJHI, Prashant; US
DOYLE, Brian S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une ligne de mots disposée au-dessus d'un substrat et un élément de sélecteur disposé au-dessus de la ligne de mots, l'élément de sélecteur comprenant un matériau à changement de phase. Le dispositif de mémoire comprend en outre un élément de mémoire bipolaire disposé au-dessus de la ligne de mots, une électrode conductrice entre l'élément de sélecteur et l'élément de mémoire bipolaire, et une ligne de bits disposée au-dessus de la ligne de mots.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)