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1. (WO2019005164) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ AMÉLIORÉE ET AMORTISSEMENT FAIBLE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
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N° de publication : WO/2019/005164 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040507
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
OGUZ, Kaan [TR/US]; US
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US
KUO, Charles C. [US/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
DOCZY, Mark L. [US/US]; US
WIEGAND, Christopher J. [US/US]; US
RAHMAN, Tofizur [BD/US]; US
OUELLETTE, Daniel G. [US/US]; US
BROCKMAN, Justin S. [US/US]; US
GHANI, Tahir [US/US]; US
GOLONZKA, Oleg [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
KUO, Charles C.; US
DOYLE, Brian S.; US
DOCZY, Mark L.; US
WIEGAND, Christopher J.; US
RAHMAN, Tofizur; US
OUELLETTE, Daniel G.; US
BROCKMAN, Justin S.; US
GHANI, Tahir; US
GOLONZKA, Oleg; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (pSTTM) DEVICES WITH ENHANCED STABILITY AND LOW DAMPING AND METHODS TO FORM THE SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (PSTTM) À STABILITÉ AMÉLIORÉE ET AMORTISSEMENT FAIBLE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé :
(EN) A memory device includes a bottom electrode, a fixed magnet above the bottom electrode, a tunnel barrier on the fixed magnet, a free magnet on the tunnel barrier. One of the free magnet or the fixed magnet includes a magnetic alloy consisting of iron and boron, and one or more elements selected from the group consisting of Si, Ge, Al, Hf, W, Ru, Ir, Ta, Cr and Mo where the total amount of the one or more elements is less than or equal to 10 atomic percent of the total composition of the magnetic alloy. A memory device further includes an oxide layer on the free magnet, a follower magnetic layer on the oxide layer and a top electrode above the follower magnetic layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de mémoire comprenant une électrode inférieure, un aimant fixe au-dessus de l'électrode inférieure, une barrière tunnel sur l'aimant fixe, un aimant libre sur la barrière tunnel. Un aimant choisi parmi l'aimant libre ou l'aimant fixe comprend un alliage magnétique constitué de fer et de bore, et un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué par Si, Ge, Al, Hf, W, Ru, Ir, Ta, Cr et Mo, la quantité totale du ou des éléments étant inférieure ou égale à 10 pour cent atomique de la composition totale de l'alliage magnétique. Un dispositif de mémoire comprend en outre une couche d'oxyde sur l'aimant libre, une couche magnétique suiveuse sur la couche d'oxyde et une électrode supérieure au-dessus de la couche magnétique suiveuse.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)