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1. (WO2019005156) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLAGE SPIN-ORBITE (SOT) À CAPACITÉ DE COMMUTATION AMÉLIORÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/005156 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040493
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US
OGUZ, Kaan [TR/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
KUO, Charles C. [US/US]; US
DOCZY, Mark L. [US/US]; US
SURI, Satyarth [US/US]; US
ATANASOV, Sarah [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
O'BRIEN, Kevin P.; US
OGUZ, Kaan; US
DOYLE, Brian S.; US
KUO, Charles C.; US
DOCZY, Mark L.; US
SURI, Satyarth; US
ATANASOV, Sarah; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPIN ORBIT TORQUE (SOT) MEMORY DEVICES WITH ENHANCED SWITCHING CAPABILITY AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLAGE SPIN-ORBITE (SOT) À CAPACITÉ DE COMMUTATION AMÉLIORÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A spin orbit torque (SOT) memory device includes a spin orbit torque electrode disposed in a dielectric layer above a substrate and a magnetic tunnel junction (MTJ) device disposed on a portion of the spin orbit torque electrode. The spin orbit torque electrode has an uppermost is 10-20 times larger than the MTJ device. The MTJ device includes a free layer disposed on the spin orbit torque electrode, a tunnel barrier such as an MgO disposed on the free layer and a fixed layer disposed on the tunnel barrier.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire à couplage spin-orbite (SOT) comprenant une électrode de couplage spin-orbite disposée dans une couche diélectrique au-dessus d'un substrat et un dispositif à jonction tunnel magnétique (MTJ) disposé sur une partie de l'électrode de couplage spin-orbite. L'électrode de couplage spin-orbite a une hauteur supérieure de 10 à 20 fois plus grande que le dispositif MTJ. Le dispositif MTJ comprend une couche libre disposée sur l'électrode de couplage spin-orbite, une barrière tunnel telle qu'un MgO disposé sur la couche libre et une couche fixe disposée sur la barrière tunnel.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)