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1. (WO2019005152) STRUCTURES DE FACE ARRIÈRE DE PUCE POUR UNE COMMANDE DE GAUCHISSEMENT
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N° de publication : WO/2019/005152 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040482
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
EID, Feras; US
GUTHIKONDA, Venkata Suresh R.; US
DEVASENATHIPATHY, Shankar; US
JHA, Chandra M.; US
CHANG, Je-Young; US
YAZZIE, Kyle; US
RAGHAVAN, Prasanna; US
MALATKAR, Pramod; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DIE BACK SIDE STRUCTURES FOR WARPAGE CONTROL
(FR) STRUCTURES DE FACE ARRIÈRE DE PUCE POUR UNE COMMANDE DE GAUCHISSEMENT
Abrégé :
(EN) A foundation layer having a stiffener and methods of forming a stiffener are described. One or more dies are formed over the foundation layer. Each die has a front side surface that is electrically coupled to the foundation layer and a back side surface that is opposite from the front side surface. A stiffening layer (or a stiffener) is formed on the back side surface of at least one of the dies. The stiffening layer may be directly coupled to the back side surface of the one or more dies without an adhesive layer. The stiffening layer may include one or more materials, including at least one of a metal, a metal alloy, and a ceramic. The stiffening layer may be formed to reduce warpage based on the foundation layer and the dies. The one or more materials of the stiffening layer can be formed using a cold spray.
(FR) La présente invention porte sur une couche de base ayant un raidisseur et sur des procédés de formation d'un raidisseur. Une ou plusieurs puces sont formées sur la couche de base. Chaque puce comporte une surface de face avant qui est couplée électriquement à la couche de base et une surface de face arrière qui est opposée à la surface de face avant. Une couche de raidissement (ou un raidisseur) est formée sur la surface de face arrière d'au moins l'une des puces. La couche de raidissement peut être directement couplée à la surface de face arrière de la ou des puces sans couche adhésive. La couche de raidissement peut comprendre un ou plusieurs matériaux, comprenant un métal et/ou un alliage métallique et/ou une céramique. La couche de raidissement peut être formée de sorte à réduire le gauchissement sur la base de la couche de base et des puces. Le ou les matériaux de la couche de raidissement peuvent être formés à l'aide d'un spray froid.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)