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1. (WO2019005147) MÉMOIRE À EFFET HALL DE SPIN À BASE D'ANISOTROPIE À AIMANT PERPENDICULAIRE, UTILISANT L'EFFET SPIN-ORBITE ET LE CHAMP D'ÉCHANGE
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N° de publication : WO/2019/005147 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040473
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22
comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri; US
YOUNG, Ian; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PERPENDICULAR MAGNET ANISOTROPY BASED SPIN HALL MEMORY USING SPIN ORBIT EFFECT AND EXCHANGE BIAS
(FR) MÉMOIRE À EFFET HALL DE SPIN À BASE D'ANISOTROPIE À AIMANT PERPENDICULAIRE, UTILISANT L'EFFET SPIN-ORBITE ET LE CHAMP D'ÉCHANGE
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a magnetic junction having a free magnet layer which has perpendicular magnetic anisotropy (PMA), wherein the free magnet layer has anisotropy axis perpendicular to a plane of a device; and an interconnect including an anti-ferromagnetic (AFM) material to generate an exchange coupling field along the plane of the device, wherein the interconnect is adjacent to the free magnet layer.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une jonction magnétique possédant une couche d'aimant libre qui présente une anisotropie magnétique perpendiculaire (AMP), la couche d'aimant libre comportant un axe perpendiculaire à un plan d'un dispositif ; et une interconnexion comportant un matériau antiferromagnétique (AFM) pour générer un champ de couplage d'échange le long du plan du dispositif, l'interconnexion étant adjacente à la couche d'aimant libre.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)