Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2019005129 - CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN

Numéro de publication WO/2019/005129
Date de publication 03.01.2019
N° de la demande internationale PCT/US2017/040406
Date du dépôt international 30.06.2017
CIB
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22
comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
G11C 11/16 (2006.01)
H01L 43/08 (2006.01)
H01L 27/22 (2006.01)
CPC
G11C 11/1659
G11C 11/1673
G11C 11/1675
G11C 11/1693
G11C 11/18
H01L 27/228
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs
  • WANG, Yih; US
  • MANIPATRUNI, Sasikanth; US
Mandataires
  • WAGAR, Bruce A.; US
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
(FR) CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN
Abrégé
(EN)
A spin Hall effect magnetoresistive random-access memory cell includes first and second access transistors in a device level of a semiconductor device, a wordline in the device level and coupled to gate terminals of the first and second access transistors, first and second source lines in a lowest metal interconnect layer of the semiconductor device and coupled to source terminals of the first and second access transistors, respectively, spin Hall metal in a lower portion of a second lowest metal interconnect layer and coupling drain terminals of the first and second access transistors, a magnetic tunnel junction (MTJ) in an upper portion of the second lowest metal interconnect layer and having a bottom terminal coupled to the spin Hall metal, and a bitline in a third lowest metal interconnect layer and coupled to a top terminal of the MTJ.
(FR)
L'invention concerne une cellule de mémoire vive magnétorésistive à effet Hall de spin qui comprend des premier et second transistors d'accès au niveau du dispositif d'un dispositif semi-conducteur, une ligne de mots au niveau du dispositif et couplée à des bornes de grille des premier et second transistors d'accès, des première et seconde lignes de source dans une couche d'interconnexion métallique la plus basse du dispositif à semi-conducteur et couplées à des bornes de source des premier et second transistors d'accès, respectivement, font tourner du métal à effet Hall de spin dans une partie inférieure d'une seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et des bornes de drain de couplage des premier et second transistors d'accès, une jonction tunnel magnétique (MTJ) dans une partie supérieure de la seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et comportant une borne inférieure couplée au métal à effet Hall de spin, et une ligne de bits dans une troisième couche d'interconnexion métallique la plus basse et couplée à une borne supérieure de la MTJ.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international