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1. (WO2019005099) ZONE DE CONTACT MÉTAL-SOURCE/DRAIN UTILISANT UNE COUCHE DE NUCLÉATION MINCE ET UN FILM ÉPITAXIAL SACRIFICIEL
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N° de publication : WO/2019/005099 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040262
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
JHAVERI, Ritesh; US
PATEL, Pratik A.; US
TROEGER, Ralph T.; US
LIAO, Szuya S.; US
JAMBUNATHAN, Karthik; US
MADDOX, Scott J.; US
CHEONG, Kai Loon; US
MURTHY, Anand S.; US
Mandataire :
GUGLIELMI, David, L.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METAL TO SOURCE/DRAIN CONTACT AREA USING THIN NUCLEATION LAYER AND SACRIFICIAL EPITAXIAL FILM
(FR) ZONE DE CONTACT MÉTAL-SOURCE/DRAIN UTILISANT UNE COUCHE DE NUCLÉATION MINCE ET UN FILM ÉPITAXIAL SACRIFICIEL
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a semiconductor region on a substrate, a gate stack on the semiconductor region, a source region comprising doped semiconductor material on the substrate adjacent a first side of the semiconductor region, a drain region comprising doped semiconductor material on the substrate adjacent a second side of the semiconductor region, a substantially conformal semiconductor layer over a surface of a recess in the source region, and a metal over the conformal layer substantially filling the recess in the source region. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une région semiconductrice sur un substrat, un empilement de grilles sur la région semiconductrice, une région source comprenant un matériau semiconducteur dopé sur le substrat de façon adjacente à un premier côté de la région semiconductrice, une région de drain comprenant un matériau semiconducteur dopé sur le substrat de façon adjacente à un second côté de la région semiconductrice, une couche semiconductrice essentiellement conforme sur une surface d’une cavité dans la région source, et un métal sur la couche conforme remplissant essentiellement la cavité dans la région source. L'invention se rapporte également à d'autres modes de réalisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)