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1. (WO2019005083) DISPOSITIF DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE DOTÉ D'UNE COUCHE DE FILTRE DOPÉE AU CARBONE
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N° de publication : WO/2019/005083 N° de la demande internationale : PCT/US2017/040137
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 29.06.2017
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
KUO, Charles C.; US
CHAUDHRY, Anurag; US
OGUZ, Kaan; US
Mandataire :
HOWARD, James M.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICE WITH CARBON DOPED FILTER LAYER
(FR) DISPOSITIF DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE DOTÉ D'UNE COUCHE DE FILTRE DOPÉE AU CARBONE
Abrégé :
(EN) MTJ material stacks including a carbon-doped filter layer, MTJ devices employing such material stacks, and computing platforms employing such MTJ devices. A composite fixed magnet structure may include one or more ferromagnetic material layer having a first crystallinity that is separated from another layer having a second crystallinity by a carbon-doped filter layer. A carbon-doped filter layer may be amorphous as-deposited and have a higher crystallization temperature than that of the ferromagnetic material layer and/or another polycrystalline layer, such as a synthetic antiferromagnet (SAF) structure. Desirable crystallinity within a ferromagnetic material layer and/or SAF structure may be promoted by a carbon-doped filter layer.
(FR) L'invention concerne des empilements de matériaux de jonction tunnel magnétique (MTJ) comprenant une couche de filtre dopée au carbone, des dispositifs MTJ utilisant de tels empilements de matériaux, et des plateformes informatiques utilisant de tels dispositifs MTJ. Une structure d'aimant fixe composite peut comprendre une ou plusieurs couches de matériau ferromagnétique ayant une première cristallinité qui est séparée d'une autre couche ayant une seconde cristallinité par une couche de filtre dopée au carbone. Une couche de filtre dopée au carbone peut être amorphe comme étant déposée et avoir une température de cristallisation supérieure à celle de la couche de matériau ferromagnétique et/ou d'une autre couche polycristalline, telle qu'une structure antiferromagnétique synthétique (SAF). Une cristallinité souhaitable dans une couche de matériau ferromagnétique et/ou une structure SAF peut être favorisée par une couche de filtre dopée au carbone.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)