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1. (WO2019005031) DIODES À HÉTÉROJONCTION AU NITRURE DE GROUPE III N POLAIRE
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N° de publication : WO/2019/005031 N° de la demande internationale : PCT/US2017/039699
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 28.06.2017
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
HOWARD, James; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) N-POLAR GROUP III-NITRIDE HETEROJUNCTION DIODES
(FR) DIODES À HÉTÉROJONCTION AU NITRURE DE GROUPE III N POLAIRE
Abrégé :
(EN) Diodes employing N-polar Group III-Nitride heterostructures that may provide low on-resistance for a given diode footprint. An N-polar III-N heterostructure may include a first layer of III-N material over an N-face of a second layer of III-N material. Through control of the III-N material composition of the first and second layers, a two-dimensional charge carrier sheet (e.g., 2D electron gas) may be induced within the first layer. With N-polarity, a rectifying contact and a non-rectifying contact may each access the 2D charge carrier sheet without a patterning or recessing of the first III-N material layer.
(FR) L'invention concerne des diodes utilisant des hétérostructures au nitrure du groupe III N polaires qui peuvent fournir une faible résistance à l'état passant pour une empreinte de diode donnée. Une hétérostructure au N III N polaire peut comprendre une première couche de matériau N III sur une face N d'une seconde couche de matériau N III. Au moyen de l'ajustement de la composition de matériau N III des première et seconde couches, une feuille de support de charge bidimensionnelle (par exemple, un gaz électronique 2D) peut être induite à l'intérieur de la première couche. Avec une polarité N, un contact redresseur et un contact non redresseur peuvent chacun accéder à la feuille de support de charge 2D sans formation de motif ni de retrait sur la première couche de matériau N III.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)