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1. (WO2019005002) DISPOSITIF DE DÉCALAGE DE NIVEAU
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N° de publication : WO/2019/005002 N° de la demande internationale : PCT/US2017/039373
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 27.06.2017
CIB :
H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 27/11502 (2017.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
LIU, Huichu; US
MORRIS, Daniel H.; US
AVCI, Uygar E.; US
VAIDYANATHAN, Kaushik; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
KARNIK, Tanay; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
CRANDALL, Sean C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LEVEL SHIFTER
(FR) DISPOSITIF DE DÉCALAGE DE NIVEAU
Abrégé :
(EN) There is disclosed in one example a level shifter, including: a first ferroelectric capacitor; an input voltage signal applied to a first node of the first ferroelectric capacitor; a second capacitor; and an output voltage signal at a shared node of the first ferroelectric capacitor and second capacitor.
(FR) La présente invention concerne, dans un exemple, un dispositif de décalage de niveau qui comprend : un premier condensateur ferroélectrique ; un signal de tension d'entrée appliqué sur un premier nœud du premier condensateur ferroélectrique ; un second condensateur ; et un signal de tension de sortie à un nœud partagé du premier condensateur ferroélectrique et du second condensateur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)