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1. (WO2019005000) REMPLISSAGE D'OUVERTURES PAR INFILTRATION DE PRÉCURSEUR DE FLUIDE D'UNE MATRICE HÔTE DANS LA FABRICATION DE COMPOSANTS DE CIRCUIT INTÉGRÉ
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N° de publication : WO/2019/005000 N° de la demande internationale : PCT/US2017/039364
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 27.06.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
GSTREIN, Florian; US
HOURANI, Rami; US
SAYAN, Safak; BE
CHANDHOK, Manish; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILLING OPENINGS THROUGH FLUID PRECURSOR INFILTRATION OF A HOST MATRIX IN MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT COMPONENTS
(FR) REMPLISSAGE D'OUVERTURES PAR INFILTRATION DE PRÉCURSEUR DE FLUIDE D'UNE MATRICE HÔTE DANS LA FABRICATION DE COMPOSANTS DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are methods for manufacturing IC components using bottom-up fill of openings by infiltrating one or more fluid precursors for forming dielectric materials into a solid host matrix provided within the openings. One exemplary method includes providing a host matrix within a plurality of openings in a structure, infiltrating the host matrix within the openings with one or more fluid precursors for forming a dielectric material, and, following the infiltration, removing at least a portion of the host matrix. Assemblies and devices manufactured using such methods are disclosed as well.
(FR) L'invention concerne des procédés de fabrication de composants de circuit intégré à l'aide d'un remplissage ascendant d'ouvertures par infiltration d'un ou de plusieurs précurseurs de fluide pour former des matériaux diélectriques dans une matrice hôte solide disposée à l'intérieur des ouvertures. Un procédé donné à titre d'exemple consiste à fournir une matrice hôte à l'intérieur d'une pluralité d'ouvertures dans une structure, à infiltrer la matrice hôte à l'intérieur des ouvertures avec un ou plusieurs précurseurs de fluide pour former un matériau diélectrique, et, suite à l'infiltration, à retirer au moins une partie de la matrice hôte. L'invention concerne également des ensembles et des dispositifs fabriqués à l'aide de tels procédés.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)