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1. (WO2019004988) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/004988 N° de la demande internationale : PCT/UA2017/000084
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 17.08.2017
CIB :
H01L 35/02 (2006.01) ,H01L 35/26 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
26
utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau
Déposants :
ХВОРОСТЯНЫЙ, Андрей Дмитриевич KHVOROSTIANYI, Andrii Dmytrovych [UA/UA]; UA
Inventeurs :
ХВОРОСТЯНЫЙ, Андрей Дмитриевич KHVOROSTIANYI, Andrii Dmytrovych; UA
ГЕНЗЕЛЬ, Виталий GENSEL, Vitali; DE
Mandataire :
НИЗОВАЯ, Инна Александровна NYZOVA, Inna Oleksandrivna; вул. Чаривна, 103-94, м. Запорижжя, vul. Charivna, 103-94 m. Zaporizhzhya, 69071, UA
Données relatives à la priorité :
a 2017 0684530.06.2017UA
Titre (EN) THERMOELECTRIC GENERATOR
(FR) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE
(RU) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР
Abrégé :
(EN) The invention relates to thermoelectric generators, specifically to thermoelectric generators which make use of the thermoelectric properties of graded-gap p-n structures, i.e. the properties of graded-gap semiconductors with acceptor dopants and donor dopants (p-type and n-type graded-gap semiconductors, respectively) and of p-n junctions therebetween, and can be used for powering domestic electric appliances and charging power-supply elements of portable electronic devices, etc. A thermoelectric generator comprises a semiconductor unit which can extract heat from the environment and comprises at least one pair of interconnected graded-gap semiconductors, consisting of a p-type graded-gap semiconductor and an n-type graded-gap semiconductor, wherein a wide-gap side P of at least one p-type graded-gap semiconductor is connected to a narrow-gap side n of at least one n-type graded-gap semiconductor and, when at least one further pair of graded-gap semiconductors is present, the wide-gap side N of at least one n-type graded-gap semiconductor is connected to the narrow-gap side p of at least one p-type graded-gap semiconductor. The technical result consists in increasing the efficiency and power of a thermoelectric generator, in eliminating the need to maintain differences in temperatures at the contacts of the semiconductors, and heating and cooling the semiconductors, in the simplicity of the design and use, and in making the production process cheaper.
(FR) L'invention concerne des générateurs thermoélectriques et notamment des générateurs thermoélectriques utilisant pour leur fonctionnement les propriétés thermoélectriques des structures p-n à bandes variables, à savoir les propriétés des semi-conducteurs à bande variable avec des impuretés acceptrices ou donatrices (des semi-conducteurs des types p- et n-, respectivement) et des jonctions p-n entre eux, et peut s’utiliser pour l'alimentation d’appareils électroniques domestiques, le chargement d’éléments d’alimentation de dispositifs électroniques ou similaire. Le générateur thermoélectrique comprend un bloc semi-conducteur réalisé de manière à prélever de la chaleur dans l’environnement, qui comprend au moins une paire de semi-conducteurs à bande variable reliés entre eux constituée d’un semi-conducteur de type p à bande variable et d’un semi-conducteur de type n à bande variable, le côté à zone large p d’au moins un semi-conducteur de type p étant relié au côté à zone étroite d’au moins un semi-conducteur de type n, et en cas de présence d’au moins une autre paire de semi-conducteurs à zone variable, le côté à zone étroite n d'au moins un semi-conducteur à bande variable d'un semi-conducteur de type n est relié au côté à zone étroite d’au moins un semi-conducteur de type. Le résultat technique consiste à augmenter le facteur de mérite et la puissance du générateur thermoélectrique et éliminer la nécessité d’entretenir une différence de température sur les contacts des semi-conducteurs, une réchauffement et un refroidissement des semi-conducteurs, à simplifier la structure d’utilisation et réduire le coût de fabrication.
(RU) Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных p-n структур, то есть свойства варизонных полупроводников с акцепторными и донорными примесями (варизонных полупроводников p- и n-типа соответственно) и p-n переходов между ними, и может быть использован для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Термоэлектрический генератор включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника р-типа и варизонного полупроводника п-типа, при этом широкозонная сторона Р по меньшей мере одного варизонного полупроводника р-типа соединена с узкозонной стороной п по меньшей мере одного варизонного полупроводника п-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника п-типа соединена с узкозонной стороной р по меньшей мере одного варизонного полупроводника р-типа. Технический результат заключается в повышении КПД и мощности термоэлектрического генератора, исключении потребности в поддержании разницы температур на контактах полупроводников, нагрева и охлаждения полупроводников, простоте конструкции и использования, удешевлении процесса производства.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)