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1. (WO2019004425) SUBSTRAT PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
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N° de publication : WO/2019/004425 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024794
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 29.06.2018
CIB :
C30B 29/30 (2006.01) ,C01G 35/00 (2006.01) ,C30B 31/06 (2006.01) ,H01L 41/18 (2006.01) ,H01L 41/22 (2013.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16
Oxydes
22
Oxydes complexes
30
Niobates; Vanadates; Tantalates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
35
Composés du tantale
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
31
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet
06
par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6 Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventeurs :
岩下 修三 IWASHITA, Shuzo; JP
井上 真司 INOUE, Shinji; JP
山路 浩之 YAMAJI, Hiroyuki; JP
近藤 久雄 KONDOU, Hisao; JP
Mandataire :
深井 敏和 FUKAI, Toshikazu; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12785929.06.2017JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC SUBSTRATE AND SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) SUBSTRAT PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 圧電基板および弾性表面波デバイス
Abrégé :
(EN) Provided is a piezoelectric substrate which comprises lithium-containing metal compound crystals such as lithium tantalate (LT) crystals, the piezoelectric substrate containing potassium therein, and having a substantially homogeneous potassium distribution in the thickness direction thereof. Also, provided is a piezoelectric substrate, in which in the Raman spectrum as measured from the cross-sectional direction, a peak attributed to Li-O lattice vibration existing in the vicinity of 380 cm -1 is shifted to a higher wavenumber side, compared to the same peak of an untreated piezoelectric substrate having a conductivity of 1×10-15 S/cm or less.
(FR) L'invention concerne un substrat piézoélectrique qui comprend des cristaux de composé métallique contenant du lithium, tels que des cristaux de tantalate de lithium (LT), le substrat piézoélectrique contenant du potassium en son sein, et présentant une distribution de potassium sensiblement homogène dans la direction de l'épaisseur correspondante. L'invention concerne également un substrat piézoélectrique, dans lequel, dans le spectre Raman tel que mesuré à partir de la direction transversale, un pic attribué à une vibration de réseau Li-O existant à proximité de 380 cm-1 est décalé vers le côté des nombres d'ondes supérieurs, par rapport au même pic d'un substrat piézoélectrique non traité présentant une conductivité de 1×10-15 S/cm ou moins.
(JA) タンタル酸リチウム(LT)結晶などのリチウムを含む金属化合物結晶からなり、基板内にカリウムを含有しており、かつカリウムの分布が基板の厚さ方向に略均質な圧電基板を提供する。また、断面方向から測定したラマンスペクトルにおいて、380cm-1近傍に存在するLi-O格子振動起因のピークが、導電率が1×10-15S/cm以下の未処理圧電基板の同ピークと比較して、高波数側にシフトしている圧電基板を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)