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1. (WO2019004319) DISPOSITIF DE CAPTURE D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2019/004319 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024461
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 27.06.2018
CIB :
G02B 5/28 (2006.01) ,G02B 5/22 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 9/07 (2006.01) ,G02B 5/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
28
Filtres d'interférence
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
22
Filtres absorbants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9
Détails des systèmes de télévision en couleurs
04
Générateurs de signaux d'image
07
avec une seule tête de lecture
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 1-9-2, Higashi-shinbashi Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
長屋 勝也 NAGAYA Katsuya; JP
畠山 耕治 HATAKEYAMA Kouji; JP
一戸 大吾 ICHINOHE Daigo; JP
Mandataire :
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; 東京都大田区蒲田5-24-2 損保ジャパン日本興亜蒲田ビル9階 Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052, JP
Données relatives à la priorité :
2017-12902630.06.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé :
(EN) This solid-state image pickup device includes a first near-infrared cut filter, and a solid-state image pickup element. The first near-infrared cut filter includes glass substrates, and a dielectric multi-layer film which is disposed on at least one of the glass substrates. The solid-state image pickup element includes: a semiconductor substrate; a first light-receiving element disposed on the semiconductor substrate; and an optical filter disposed on the first light-receiving element. The optical filter includes: a color filter layer disposed on the first light receiving element; and a second near-infrared cut filter disposed on the color filter layer. The first near-infrared cut filter is disposed at a position facing the second near-infrared cut filter. The number of layers provided in the dielectric multi-layer film is at least 10 but less than 40.
(FR) L'invention concerne un dispositif de capture d’image à semi-conducteurs qui comprend un premier filtre de coupure de l’infrarouge proche et un élément de capture d’image à semi-conducteurs. Le premier filtre de coupure de l’infrarouge proche comprend des substrats en verre et un film multicouche diélectrique qui est disposé sur au moins un des substrats en verre. L’élément de capture d’image à semi-conducteurs comprend : un substrat semi-conducteur ; un premier élément photorécepteur disposé sur le substrat semi-conducteur ; et un filtre optique disposé sur le premier élément photorécepteur. Le filtre optique comprend : une couche de filtre coloré disposée sur le premier élément photorécepteur ; et un second filtre de coupure de l’infrarouge proche disposé sur la couche de filtre coloré. Le premier filtre de coupure de l’infrarouge proche est disposé à une position en regard du second filtre de coupure de l’infrarouge proche. Le nombre de couches incluses dans le film multicouche diélectrique est supérieur ou égal à 10, mais inférieur à 40.
(JA) 固体撮像装置は、第1近赤外線カットフィルタと、固体撮像素子と、を有し、第1近赤外線カットフィルタは、ガラス基材と、ガラス基材の少なくとも一方に誘電体多層膜と、を有し、固体撮像素子は、半導体基板と、半導体基板に設けられた第1受光素子と、第1受光素子上に設けられた光学フィルタと、を有し、光学フィルタは、第1受光素子上に設けられたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に設けられた第2近赤外線カットフィルタと、を有し、第1近赤外線カットフィルタは、第2近赤外線カットフィルタと対向する位置に設けられ、誘電体多層膜の積層数は、10層以上40層未満で設けられる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)