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1. (WO2019004226) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/004226 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024236
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 26.06.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
美▲崎▼ 克紀 MISAKI Katsunori; --
Mandataire :
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12642928.06.2017JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) アクティブマトリクス基板、及びその製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention is an active matrix substrate having pixel regions, said active matrix substrate being provided with a terminal section P2, a guard ring P4, and a connecting section P3 for connecting the terminal section P2 and the guard ring P4. A pixel region, the terminal section P2, and the guard ring P4 each have: a first conductive layer 13s in which a first metal film 231 and second metal films 232, 233 having lower resistance than the first metal film 231 are layered one on another; a first protective layer 103 disposed in such a manner as to overlap at least a portion of the first conductive layer 13s; and a second protective layer 105 disposed on the first protective layer 103. The pixel region has a second conductive layer provided on an upper layer of the first protective layer. The connecting section P2 has the first metal film 231 and the second protective layer 105 disposed on the first metal film 231. In the terminal section P2 and the guard ring P4, the end portions on the connecting section side of the first conductive layers 13s are disposed further inward than the end portions on the connecting section side of the first protective layers 103. A second conductive layer 141 and the second metal films 232, 233 contain a material that can be etched with the same etching solution.
(FR) La présente invention porte sur un substrat à matrice active ayant des régions de pixel, ledit substrat à matrice active étant pourvu d'une section de borne P2, d'un anneau de garde P4 et d'une section de connexion P3 pour connecter la section de borne P2 et l'anneau de garde P4. Une région de pixel, la section de borne P2 et l'anneau de garde P4 présentent chacun : une première couche conductrice 13s dans laquelle un premier film métallique 231 et des seconds films métalliques 232, 233 ayant une résistance inférieure à celle du premier film métallique 231 sont stratifiés les uns sur les autres ; une première couche protectrice 103 disposée de manière à chevaucher au moins une partie de la première couche conductrice 13s ; et une seconde couche protectrice 105 disposée sur la première couche protectrice 103. La région de pixel présente une seconde couche conductrice disposée sur une couche supérieure de la première couche protectrice. La section de connexion P2 possède le premier film métallique 231 et la seconde couche protectrice 105 disposée sur le premier film métallique 231. Dans la section de borne P2 et l'anneau de garde P4, les parties d'extrémité sur le côté de section de connexion des premières couches conductrices 13s sont disposées davantage vers l'intérieur que les parties d'extrémité sur le côté de section de connexion des premières couches de protection 103. Une seconde couche conductrice 141 et les seconds films métalliques 232, 233 contiennent une matériau qui peut être gravé avec la même solution de gravure.
(JA) 画素領域を有するアクティブマトリクス基板であって、端子部P2と、ガードリングP4と、端子部P2とガードリングP4とを接続する接続部P3とを備える。画素領域と端子部P2とガードリングP4は、第1の金属膜231と、第1の金属膜231よりも低抵抗な第2の金属膜232、233とが積層された第1の導電層13sと、第1の導電層13sの少なくとも一部と重なって配置された第1の保護層103と、第1の保護層103の上に配置された第2の保護層105とを有する。画素領域は、第1の保護層の上層に設けられた第2の導電層を有する。接続部P2は、第1の金属膜231と、第1の金属膜231の上に配置された第2の保護層105とを有する。端子部P2とガードリングP4における第1の導電層13sの接続部側の端部は第1の保護層103の接続部側の端部よりも内側に配置される。第2の導電層141と第2の金属膜232、233は、同じエッチング液でエッチング可能な材料を含む。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)