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1. (WO2019004204) ÉLÉMENT TÉRAHERTZ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/004204 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024179
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 26.06.2018
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01) ,H01Q 9/16 (2006.01) ,H03B 1/00 (2006.01) ,H03B 7/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
329
les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
88
Diodes à effet tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
9
Antennes électriquement courtes dont les dimensions ne sont pas supérieures à deux fois la longueur d'onde et constituées par des éléments rayonnants conducteurs actifs
04
Antennes résonnantes
16
avec alimentation intermédiaire entre les extrémités de l'antenne, p.ex. dipôle alimenté par le centre
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
1
Détails
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
7
Production d'oscillations au moyen d'un élément actif ayant une résistance négative entre deux de ses électrodes
02
avec un élément déterminant la fréquence comportant des inductances et des capacités localisées
06
l'élément actif étant un dispositif à semi-conducteurs
08
l'élément actif étant une diode tunnel
Déposants :
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventeurs :
向井 俊和 MUKAI Toshikazu; JP
金 在瑛 KIM Jae Young; JP
外山 智一郎 TOYAMA Tomoichiro; JP
Mandataire :
吉田 稔 YOSHIDA Minoru; JP
土居 史明 DOI Fumiaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12537027.06.2017JP
2017-20202118.10.2017JP
Titre (EN) TERAHERTZ ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT TÉRAHERTZ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) テラヘルツ素子、半導体装置
Abrégé :
(EN) A terahertz element provided according to one aspect of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate; a first conductive layer; a second conductive layer; and an active element. The first conductive layer and the second conductive layer are respectively formed on the semiconductor substrate and are insulated from each other. The active element is formed on the semiconductor substrate and is electrically conductive to the first conductive layer and the second conductive layer. The first conductive layer includes: a first antenna part that extends along a first direction; a first capacitor part that is positioned on a second direction side relative to the active element when viewing the semiconductor substrate from the thickness direction; and a first conductive part that is connected to the first capacitor part. The second direction is orthogonal to the thickness direction and the first direction. The second conductive layer includes a second capacitor part. The second capacitor part is layered on the first capacitor part and is insulated from the first capacitor part. The semiconductor substrate includes an exposed part that is exposed from the first capacitor part and the second capacitor part. The first conductive part has an area that is separated in the second direction from the first antenna part with the exposed part therebetween when viewed from the thickness direction.
(FR) Un élément térahertz selon un aspect de la présente invention comprend : un substrat semi-conducteur; une première couche conductrice; une seconde couche conductrice; et un élément actif. La première couche conductrice et la seconde couche conductrice sont respectivement formées sur le substrat semi-conducteur et sont isolées l'une de l'autre. L'élément actif est formé sur le substrat semi-conducteur et est électroconducteur à la première couche conductrice et à la seconde couche conductrice. La première couche conductrice comprend : une première partie d'antenne qui s'étend le long d'une première direction; une première partie de condensateur qui est positionnée sur un second côté de direction par rapport à l'élément actif lors de la visualisation du substrat semi-conducteur à partir de la direction de l'épaisseur; et une première partie conductrice qui est connectée à la première partie de condensateur. La seconde direction est perpendiculaire à la direction d’épaisseur et à la première direction. La seconde couche conductrice comprend une seconde partie de condensateur. La seconde partie de condensateur est stratifiée sur la première partie de condensateur et est isolée de la première partie de condensateur Le substrat semi-conducteur comprend une partie exposée qui est exposée à partir de la première partie de condensateur et de la seconde partie de condensateur La première partie conductrice a une zone qui est séparée dans la seconde direction à partir de la première partie d'antenne avec la partie exposée entre celles-ci lorsqu'elle est vue depuis la direction de l'épaisseur.
(JA) 本開示の一側面により提供されるテラヘルツ素子は、半導体基板と、第1導電層と、第2導電層と、能動素子と、を備える。前記第1導電層および第2導電層は、前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁されている。前記能動素子は、前記半導体基板に形成され、前記第1導電層および前記第2導電層に導通する。前記第1導電層は、第1方向に沿って延びる第1アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第2方向側に位置する第1キャパシタ部と、前記第1キャパシタ部につながる第1導電部と、を含む。前記第2方向は、前記厚さ方向と前記第1方向とに直交している。前記第2導電層は、第2キャパシタ部を含む。前記第2キャパシタ部は、前記第1キャパシタ部に積層され、且つ、前記第1キャパシタ部から絶縁されている。前記半導体基板は、前記第1キャパシタ部および前記第2キャパシタ部から露出した露出部を含む。前記第1導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第1アンテナ部から前記第2方向に離間した部位を有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)