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1. (WO2019004126) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/004126 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024009
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 25.06.2018
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
Déposants :
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島二丁目3番18号 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventeurs :
足立 大輔 ADACHI, Daisuke; JP
Mandataire :
新宅 将人 SHINTAKU, Masato; JP
吉本 力 YOSHIMOTO, Tsutomu; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12678228.06.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention pertains to a method for manufacturing a crystalline silicon-based solar cell (100) which has, on a first primary surface of a conductive single-crystal silicon substrate (1), an intrinsic silicon-based thin film (12) and a conductive silicon-based thin film (15), in this order. After forming an intrinsic silicon-based layer on the conductive single-crystal silicon substrate, a plasma process for exposing the surface of the intrinsic silicon-based layer to hydrogen plasma is performed while introducing hydrogen gas and a silicon-containing gas into a CVD chamber. The amount of hydrogen introduced into the CVD chamber during the plasma process is 150-2,500 times the introduced amount of the silicon-containing gas, and a film is formed, by the plasma process, on the intrinsic silicon-based layer in a valley portion of a texture.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire à base de silicium cristallin (100) qui a, sur une première surface primaire d'un substrat de silicium monocristallin conducteur (1), un film mince à base de silicium intrinsèque (12) et un film mince à base de silicium conducteur (15), dans cet ordre. Après formation d'une couche à base de silicium intrinsèque sur le substrat de silicium monocristallin conducteur, un traitement au plasma pour exposer la surface de la couche à base de silicium intrinsèque au plasma d'hydrogène est effectué tout en introduisant de l'hydrogène gazeux et un gaz contenant du silicium dans une chambre de dépôt chimique en phase vapeur. La quantité d'hydrogène introduite dans la chambre de dépôt chimique en phase vapeur pendant le traitement au plasma est de 150 à 2500 fois la quantité introduite du gaz contenant du silicium, et un film est formé, par le traitement au plasma, sur la couche à base de silicium intrinsèque dans une partie de vallée d'une texture.
(JA) 導電型単結晶シリコン基板(1)の第一主面上に、真性シリコン系薄膜(12)および導電型シリコン系薄膜(15)をこの順に有する結晶シリコン系太陽電池(100)の製造方法に関する。導電型単結晶シリコン基板上に真性シリコン系層を形成後、CVDチャンバ内に水素ガスおよびシリコン含有ガスを導入しながら、真性シリコン系層の表面を水素プラズマに暴露するプラズマ処理が行われる。プラズマ処理時のCVDチャンバ内への水素導入量は、シリコン含有ガス導入量の150~2500倍であり、プラズマ処理により、テクスチャの谷部の真性シリコン系層上に薄膜が形成される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)