Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019004103) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE CREUSE ET STRUCTURE CREUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/004103 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/023948
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 25.06.2018
CIB :
H04R 31/00 (2006.01) ,A61B 8/14 (2006.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H04R 19/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
R
HAUT-PARLEURS, MICROPHONES, TÊTES DE LECTURE POUR TOURNE-DISQUES OU TRANSDUCTEURS ACOUSTIQUES ÉLECTROMÉCANIQUES ANALOGUES; APPAREILS POUR SOURDS; SYSTÈMES D'ANNONCE EN PUBLIC
31
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
B
DIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
8
Diagnostic utilisant des ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores
13
Tomographie
14
Echo-tomographie
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3
Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
R
HAUT-PARLEURS, MICROPHONES, TÊTES DE LECTURE POUR TOURNE-DISQUES OU TRANSDUCTEURS ACOUSTIQUES ÉLECTROMÉCANIQUES ANALOGUES; APPAREILS POUR SOURDS; SYSTÈMES D'ANNONCE EN PUBLIC
19
Transducteurs électrostatiques
Déposants :
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Inventeurs :
角田 隆行 SUMIDA Takayuki; JP
丸山 綾子 MARUYAMA Ayako; JP
秋山 貴弘 AKIYAMA Takahiro; JP
▼瀬▲戸本 豊 SETOMOTO Yutaka; JP
Mandataire :
阿部 琢磨 ABE Takuma; JP
黒岩 創吾 KUROIWA Sogo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12935130.06.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING HOLLOW STRUCTURE, AND HOLLOW STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE CREUSE ET STRUCTURE CREUSE
(JA) 中空構造体の製造方法、及び中空構造体
Abrégé :
(EN) This method for producing a hollow structure comprises: a step for forming a sacrificial layer on a first film; a step for forming a second film on the sacrificial layer; a step for forming an etching opening that penetrates through at least one of the first film and the second film so as to be in communication with the sacrificial layer; and a step for forming a hollow part by etching the sacrificial layer by means of a gas that contains a fluorine-containing gas and hydrogen via the etching opening. With respect to this method for producing a hollow structure, the composition ratio of silicon to nitrogen in a first region which contains a surface that is in contact with the sacrificial layer is higher than the composition ratio of silicon to nitrogen in a second region which does not contain the first region.
(FR) Le présent procédé de production d'une structure creuse comprend : une étape de formation d'une couche sacrificielle sur un premier film ; une étape de formation d'un second film sur la couche sacrificielle ; une étape de formation d'une ouverture d'attaque qui pénètre à travers au moins l'un parmi le premier film et le second film de façon à être en communication avec la couche sacrificielle ; et une étape de formation d'une partie creuse par l'attaque de la couche sacrificielle au moyen d'un gaz qui contient de l'hydrogène ainsi que du gaz contenant du fluor par l'intermédiaire de l'ouverture d'attaque. Par rapport à ce procédé de production d'une structure creuse, le rapport de composition de silicium sur azote dans une première région qui contient une surface en contact avec la couche sacrificielle est supérieur au rapport de composition de silicium sur azote dans une seconde région qui ne contient pas la première région.
(JA) 第1の膜の上に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の上に第2の膜を形成する工程と、第1の膜及び第2の膜の少なくともいずれか一方を貫通して犠牲層に連通するエッチング開口部を形成する工程と、犠牲層を、エッチング開口部を介して、フッ素含有ガスと水素とを含むガスによってエッチングすることで中空部を形成する工程とを有し、犠牲層と接する面を含む第一の領域における窒素に対するシリコンの組成比が、第一の領域を含まない第二の領域における窒素に対するシリコンの組成比よりも大きい。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)