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1. (WO2019003999) TRANCHE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/003999 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/023218
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 19.06.2018
CIB :
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1 Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
小野 敏昭 ONO, Toshiaki; JP
梅野 繁 UMENO, Shigeru; JP
Mandataire :
とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12429426.06.2017JP
Titre (EN) SILICON WAFER
(FR) TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハ
Abrégé :
(EN) A silicon wafer in which the BMD density in a region lying between the depth of 80 μm and the depth of 285 μm from the surface of the wafer is 5 × 108 /cm3 to 2.5 × 1010 /cm3 inclusive when the wafer is subjected to a heating treatment at a temperature X (°C, 700°C ≤ X ≤ 1000°C) for a time Y (min) and is then subjected to an infrared tomography method under the conditions where the laser power is set to 50 mW and the exposure time for a detector is set to 50 msec, wherein the time Y and the temperature X meet the requirement represented by the formula: Y = 7.88 × 1067 × X-2.25.
(FR) L'invention concerne une tranche de silicium dans laquelle la densité BMD dans une région située entre la profondeur de 80 μm et la profondeur de 285 μm à partir de la surface de la tranche est de 5 × 108/cm3 à 2,5 × 1010/cm3, y compris lorsque la tranche est soumise à un traitement chauffant à une température X (°C, 700°C ≤ X ≤ 1000°C) pendant une durée Y (min) et ensuite soumise à un procédé de tomographie infrarouge dans les conditions où la puissance du laser est réglée à 50 mW et la durée d'exposition pour un détecteur est réglé à 50 msec, la durée Y et la température X répondant à l'exigence représentée par la formule : Y = 7,88 × 1067 × X-2,25.
(JA) 時間をY(min),温度をX(℃,ただし700℃≦X≦1000℃)とした場合に、Y=7.88×1067×X-2.25を満たす時間Yと温度Xにて熱処理を行なった後に、赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを50mW,検出器の露光時間を50msecに設定した場合の、ウェーハ表面から80μm~285μmの範囲におけるBMD密度が、5×10/cm以上、2.5×1010/cm以下であるシリコンウェーハ。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)