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1. (WO2019003968) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2019/003968 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/023030
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 15.06.2018
CIB :
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
04
avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction np
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
川上 泰史 KAWAKAMI Yasufumi; JP
前川 浩一 MAEGAWA Koichi; JP
Mandataire :
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Données relatives à la priorité :
2017-12751129.06.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for producing a silicon single crystal by the Czochralski method in which a silicon single crystal having a straight body diameter of 301-330 mm is pulled up and grown from a silicon solution containing red phosphorous as a dopant, wherein the resistivity of the straight body of silicon single crystal at the starting position is controlled to 1.20-1.35 mΩcm, and then the resistivity of the single crystal is gradually reduced such that the resistivity of a portion of the silicon single crystal is 0.7-1.0 mΩcm.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de silicium par le procédé de Czochralski dans lequel un monocristal de silicium ayant un diamètre de corps droit de 301 à 330 mm est tiré et croît à partir d'une solution de silicium contenant du phosphore rouge en tant que dopant, la résistivité du corps droit du monocristal de silicium à la position de départ étant régulée entre 1,20 et 1,35 mΩcm, puis la résistivité du monocristal étant progressivement réduite de telle sorte que la résistivité d'une partie du monocristal de silicium est comprise entre 0,7 et 1,0 mΩcm.
(JA) 赤リンをドーパントとして含むシリコン融液から、チョクラルスキー法により、直胴径301mm以上330mm以下のシリコン単結晶を引き上げて成長させるシリコン単結晶の製造方法は、シリコン単結晶の直胴部開始位置における抵抗率を、1.20mΩcm以上、1.35mΩcm以下に制御し、その後、順次シリコン単結晶の抵抗率を下げていき、シリコン単結晶の一部の抵抗率を、0.7mΩcm以上、1.0mΩcm以下とする。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)