Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019003599) APPAREIL D'ANALYSE DE DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/003599 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/016039
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 18.04.2018
CIB :
G01R 31/26 (2014.01) ,G01R 31/00 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26
Essai de dispositifs individuels à semi-conducteurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
松本 徹 MATSUMOTO Toru; JP
遠藤 幸一 ENDO Koichi; JP
中村 共則 NAKAMURA Tomonori; JP
越川 一成 KOSHIKAWA Kazushige; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12730429.06.2017JP
Titre (EN) DEVICE ANALYSIS APPARATUS AND DEVICE ANALYSIS METHOD
(FR) APPAREIL D'ANALYSE DE DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DE DISPOSITIF
(JA) デバイス解析装置及びデバイス解析方法
Abrégé :
(EN) A device analysis apparatus 1 executes determination of the quality of a power semiconductor device P, and is provided with: an application unit 12 that applies a voltage signal to the power semiconductor device P; a photodetection unit 13 that detects light from the power semiconductor device P at a plurality of detection positions A-D, and outputs a detection signal based on the detection result; and a determination unit 33 that determines the quality of the power semiconductor device P on the basis of the temporal change of the detection signal.
(FR) L'invention concerne un appareil d'analyse de dispositif (1) qui exécute une détermination de la qualité d'un dispositif semi-conducteur de puissance (P), et qui comprend : une unité d'application (12) qui applique un signal de tension au dispositif semi-conducteur de puissance (P) ; une unité de photodétection (13) qui détecte la lumière provenant du dispositif semi-conducteur de puissance (P) en une pluralité de positions de détection (A à D), et qui délivre un signal de détection en fonction du résultat de détection ; et une unité de détermination (33) qui détermine la qualité du dispositif semi-conducteur de puissance (P) en fonction du changement temporel du signal de détection.
(JA) デバイス解析装置1は、パワー半導体デバイスPの良否判別を実行するデバイス解析装置であって、パワー半導体デバイスPに電圧信号を印加する印加部12と、パワー半導体デバイスPからの光を複数の検出位置A~Dで検出し、検出結果に基づく検出信号を出力する光検出部13と、検出信号の時間変化に基づいてパワー半導体デバイスPの良否を判別する判別部33と、を備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)