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1. (WO2019003568) MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
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N° de publication : WO/2019/003568 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/015085
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 10.04.2018
CIB :
H01J 43/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
43
Tubes à émission secondaire; Tubes multiplicateurs d'électrons
04
Multiplicateurs d'électrons
06
Dispositions d'électrodes
18
Dispositions d'électrodes utilisant essentiellement plus d'une dynode
24
Dynodes à gradient de potentiel le long de leurs surfaces
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
増子 太地 MASUKO Daichi; JP
西村 一 NISHIMURA Hajime; JP
浜名 康全 HAMANA Yasumasa; JP
渡辺 宏之 WATANABE Hiroyuki; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12943330.06.2017JP
Titre (EN) ELECTRON MULTIPLIER
(FR) MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
(JA) 電子増倍体
Abrégé :
(EN) The present invention relates to an electron multiplier provided with a structure for suppressing and stabilizing resistance value fluctuations over a wider temperature range. In this electron multiplier, a resist layer that is held between a substrate and a secondary electron emission layer is configured from a PT layer that is formed two-dimensionally on a layer formation surface that coincides with or is substantially parallel to a channel formation surface of the substrate, and thereby, the resistance layer achieves a temperature characteristic in which the resistance value at -60°C falls within the range less than or equal to 10 times the resistance value at a temperature of 20°C, and the resistance value at +60°C within the range greater than or equal to 0.25 times said resistance value at 20°C.
(FR) La présente invention concerne un multiplicateur d'électrons pourvu d'une structure servant à supprimer et à stabiliser des fluctuations de valeur de résistance sur une plus grande plage de température. Dans le présent multiplicateur d'électrons, une couche de réserve qui est maintenue entre un substrat et une couche d'émission d'électrons secondaires est configurée à partir d'une couche PT qui est formée de manière bidimensionnelle sur une surface de formation de couche qui coïncide avec une surface de formation de canal du substrat, ou qui est sensiblement parallèle à cette dernière, et, ainsi, la couche de résistance atteint une caractéristique de température selon laquelle la valeur de résistance à -60 °C baisse dans la plage inférieure ou égale à 10 fois la valeur de résistance à une température de 20 °C, et la valeur de résistance à +60 °C s'inscrit dans la plage supérieure ou égale à 0,25 fois ladite valeur de résistance à 20° C.
(JA) 本実施形態は、より広い温度範囲において抵抗値変動を抑制かつ安定させるための構造を備えた電子増倍体に関する。当該電子増倍体は、基板と二次電子放出層に挟まれた抵抗層を、該基板のチャネル形成面に一致または実質的に平行な層形成面上に二次元的に形成されたPt層で構成することにより、当該抵抗層は、温度20℃における抵抗値に対して、-60℃における抵抗値が10倍以下であり、かつ、+60℃における抵抗値が0.25倍以上の範囲内に収まる温度特性を実現する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)