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1. (WO2019003567) MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
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N° de publication : WO/2019/003567 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/015084
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 10.04.2018
CIB :
H01J 43/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
43
Tubes à émission secondaire; Tubes multiplicateurs d'électrons
04
Multiplicateurs d'électrons
06
Dispositions d'électrodes
18
Dispositions d'électrodes utilisant essentiellement plus d'une dynode
24
Dynodes à gradient de potentiel le long de leurs surfaces
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
増子 太地 MASUKO Daichi; JP
西村 一 NISHIMURA Hajime; JP
浜名 康全 HAMANA Yasumasa; JP
渡辺 宏之 WATANABE Hiroyuki; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12942530.06.2017JP
Titre (EN) ELECTRON MULTIPLIER
(FR) MULTIPLICATEUR D'ÉLECTRONS
(JA) 電子増倍体
Abrégé :
(EN) This electron multiplier is provided with a structure for suppressing and stabilizing resistance value fluctuations over a wider temperature range. In this electron multiplier, a resist layer, held between a substrate and a secondary electron emission layer formed from an insulating material, includes a metal layer comprising multiple metal lumps which are formed from a metal material having a resistance value with a positive temperature characteristic and which, in a state adjacent to each other with a portion of the first insulating material interposed therebetween, are arranged two-dimensionally on a layer formation surface that coincides with or is substantially parallel to a channel formation surface of the substrate, wherein the thickness of the metal layer is set to 5-40 angstroms.
(FR) Ce multiplicateur d'électrons est pourvu d'une structure permettant de supprimer et de stabiliser des fluctuations de valeur de résistance sur une plage de température plus large. Dans ce multiplicateur d'électrons, une couche de réserve, maintenue entre un substrat et une couche d'émission d'électrons secondaires constituée d'un matériau isolant, comprend une couche métallique comprenant de multiples amas métalliques qui sont constitués d'un matériau métallique ayant une valeur de résistance avec une caractéristique de température positive et qui, dans un état adjacent entre eux avec une partie du premier matériau isolant interposée entre ceux-ci, sont agencés de manière bidimensionnelle sur une surface de formation de couche qui coïncide avec une surface de formation de canal du substrat ou est sensiblement parallèle à celle-ci, l'épaisseur de la couche métallique étant établie de sorte à être située dans la plage allant de 5 à 40 angströms.
(JA) 本実施形態は、より広い温度範囲において抵抗値変動を抑制かつ安定させるための構造を備えた電子増倍体に関する。当該電子増倍体において、基板と絶縁材料からなる二次電子放出層に挟まれた抵抗層は、その抵抗値が正の温度特性を有する金属材料からなる複数の金属塊が、該第1の絶縁材料の一部を介して互いに隣接した状態で、該基板のチャネル形成面に一致または実質的に平行な層形成面上に二次元的に配置された金属層であって、その厚みが5~40オングストロームに設定された金属層を含む。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)