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1. (WO2019003363) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2019/003363 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/023830
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 28.06.2017
CIB :
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
338
à grille Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812
à grille Schottky
Déposants :
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 埼玉県新座市北野三丁目6番3号 3-6-3 KITANO, NIIZA-SHI, Saitama 3528666, JP
Inventeurs :
佐藤 憲 Sato Ken; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor device comprises: a first nitride compound semiconductor layer; a second nitride compound semiconductor layer above the first nitride compound semiconductor layer; a two-dimensional electron gas layer near the interface between the first nitride compound semiconductor layer and second nitride compound semiconductor layer, a first electrode electrically connected to the two-dimensional electron gas layer; a second electrode electrically connected to the two-dimensional electron gas layer; a recessed portion provided on the surface of the second nitride compound semiconductor layer, between the first electrode and second electrode; and an auxiliary film comprising a p-type nitride semiconductor provided in the recessed portion, electrically connected to the first electrode and separated from the second electrode. On the above basis, a rise in on-resistance can be controlled against while also controlling against current collapse.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une première couche semi-conductrice de composé de nitrure; une seconde couche semi-conductrice de composé de nitrure au-dessus de la première couche semi-conductrice de composé de nitrure; une couche de gaz électronique bidimensionnel à proximité de l'interface entre la première couche semi-conductrice de composé de nitrure et la seconde couche semi-conductrice de composé de nitrure, une première électrode connectée électriquement à la couche de gaz électronique bidimensionnel; une seconde électrode connectée électriquement à la couche de gaz électronique bidimensionnel; une partie en retrait disposée sur la surface de la seconde couche semi-conductrice de composé de nitrure, entre la première électrode et la seconde électrode; et un film auxiliaire comprenant un semi-conducteur au nitrure de type p disposé dans la partie en retrait, connecté électriquement à la première électrode et séparé de la seconde électrode. Sur la base ci-dessus, une augmentation de la résistance à l'état passant ainsi que l'effondrement du courant peuvent être empêchés.
(JA) 半導体装置は、第1の窒化物系半導体層と、前記第1の窒化物系半導体層上の第2の窒化物系半導体層と、前記第1の窒化物系半導体層と前記第2の窒化物系半導体層との界面近傍の2次元電子ガス層と、前記2次元電子ガス層と電気的に接続する第1の電極と、前記2次元電子ガス層と電気的に接続する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間にあって、前記第2の窒化物系半導体層の表面に設けられた凹部と、前記第1の電極と電気的に接続し、前記第2の電極とは離間し、前記凹部内に設けられたp型窒化物半導体から成る補助膜とを備える。これにより、電流コラプスを抑制するとともに、オン抵抗の上昇を抑制することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)