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1. (WO2019003242) PROCÉDÉ DE TEXTURATION DE TRANCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN COUPÉES PAR FIL DE DIAMANT SANS ADDITIFS
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N° de publication : WO/2019/003242 N° de la demande internationale : PCT/IN2018/050348
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 31.05.2018
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/02 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0236
Textures de surface particulières
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
02
Pré-traitement du matériau à revêtir
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY [IN/IN]; IITB, Powai, Maharashtra Mumbai 400076, IN
Inventeurs :
BASU, Prabir Kanti; IN
PULLAIKODI, Sreejith Koorthedath; IN
Mandataire :
NARASANI, Arun Kishore; IN
Données relatives à la priorité :
20172102261528.06.2017IN
Titre (EN) METHOD FOR TEXTURING DIAMOND WIRE CUT MULTICRYSTALLINE SILICON WAFERS WITHOUT ADDITIVES
(FR) PROCÉDÉ DE TEXTURATION DE TRANCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN COUPÉES PAR FIL DE DIAMANT SANS ADDITIFS
Abrégé :
(EN) Embodiments herein provide a method for diamond wire cutting (DWC) multicrystalline silicon (multi-Si) wafer texturing. The method includes preparing an acid texturing solution comprising of a specific concentration of nitric acid and hydrofluoric acid. Further, the method includes forming a porous-Si layer by treating the DWC multi-Si wafer with the acid texturing solution for a pre-determined time interval and at a pre-determined temperature. The method also includes dissolving the porous-Si layer by dipping the DWC multi-Si wafer surface in an alkali solution for DWC multi- Si wafer texturing.
(FR) La présente invention concerne selon des modes de réalisation un procédé de coupe par fil de diamant (DWC) de texturation de tranche de silicium polycristallin (multi-Si) . Le procédé comprend la préparation d'une solution de texturation acide comprenant une concentration spécifique d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique. En outre, le procédé comprend la formation d'une couche de Si poreux par traitement de la tranche de multi-Si DWC avec la solution de texturation acide pendant un intervalle de temps prédéfini et à une température prédéfinie. Le procédé comprend également la dissolution de la couche de Si poreux par trempage de la surface de tranche multi-Si DWC dans une solution alcaline pour la texturation de tranche multi-Si DWC.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)