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1. (WO2019003037) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/003037 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/054405
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 15.06.2018
CIB :
H04N 5/369 (2011.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
403
avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe
405
avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
[IPC code unknown for H01L 27/1156]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
楠本直人 KUSUMOTO, Naoto; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12512427.06.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子部品
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of holding a signal detected by a sensor element. This semiconductor device is provided with a sensor element, a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein one electrode of the sensor element is electrically connected to a first gate, the first gate is electrically connected to either the source or the drain of the third transistor, either the source or the drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor, and a semiconductor layer is provided with a metal oxide.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable de maintenir un signal détecté par un élément de capteur. Le dispositif à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'un élément de capteur, d'un premier transistor, d'un deuxième transistor et d'un troisième transistor, une électrode de l'élément de capteur étant électriquement connectée à une première grille, la première grille étant électriquement connectée soit à la source soit au drain du troisième transistor, soit la source soit le drain du premier transistor étant connecté électriquement à la grille du deuxième transistor, et une couche semi-conductrice étant pourvue d'un oxyde métallique.
(JA) センサ素子が検知した信号を保持することのできる半導体装置を提供する。 センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、セ ンサ素子の一方の電極は第1のゲートと電気的に接続され、第1のゲートは第3のトランジスタのソ ースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方 は第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、半導体層は金属酸化物を有する構成とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)