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1. (WO2019002789) COMPOSITION CHIMIQUE DE NETTOYAGE POUR LE RETRAIT D'UNE COUCHE DE PASSIVATION AMORPHE A LA SURFACE DE MATÉRIAUX CRISTALLINS
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N° de publication : WO/2019/002789 N° de la demande internationale : PCT/FR2018/051607
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 29.06.2018
CIB :
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
TECHNIC FRANCE [FR/FR]; 015 RUE DE LA MONTJOIE ANGLE DU 4 IMP DE LA MONTJOIE 93200 SAINT DENIS, FR
Inventeurs :
PIZZETTI, Christian; FR
CAZES, Marine; FR
DAVIOT, Jérôme; FR
PIALOT, Nicolas; FR
VERNIN, Philippe; FR
Mandataire :
REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles 75847 PARIS CEDEX 17, FR
Données relatives à la priorité :
175621530.06.2017FR
Titre (EN) CHEMICAL CLEANING COMPOSITION FOR REMOVING AN AMORPHOUS PASSIVATION LAYER AT THE SURFACE OF CRYSTALLINE MATERIALS
(FR) COMPOSITION CHIMIQUE DE NETTOYAGE POUR LE RETRAIT D'UNE COUCHE DE PASSIVATION AMORPHE A LA SURFACE DE MATÉRIAUX CRISTALLINS
Abrégé :
(EN) The present invention concerns a chemical cleaning composition suitable for removing, from a substrate (1A, 1B, 4), a passivation layer (2) comprising etching residues resulting from the etching of said substrate (1A, 1B, 4), comprising: - a weak acid comprising acetic acid, the amount of weak acid being between 20% by weight and 95% by weight, and preferably between 0% by weight and 80% by weight, relative to the weight of the chemical composition, - a strong non-oxidising acid comprising sulfonic methane acid, the amount of strong non-oxidising acid being between 5% by weight and 50% by weight, and preferably between 15% by weight and 50% by weight, relative to the weight of the chemical composition, - hydrofluoric acid, in an amount of between 0.2% by weight and 2% by weight relative to the weight of the chemical composition, - water, in amount of between 2% by weight and 20% by weight relative to the weight of the chemical composition. The invention also concerns a cleaning method for removing, from a substrate (1A, 1B, 4), a passivation layer (2) comprising etching residues resulting from the etching of said substrate (1A, 1B, 4), comprising the following steps: - providing a chemical cleaning composition according to the abovementioned composition, - bringing the chemical cleaning composition into contact with the passivation layer (2) for a period sufficient to remove said passivation layer (2) from the substrate (1A, 1B, 4).
(FR) La présente invention concerne une composition chimique de nettoyage adaptée pour retirer d'un substrat (1A, 1B, 4) une couche de passivation (2) comprenant des résidus de gravure résultant d'une gravure dudit substrat (1A, 1B, 4), comprenant: - un acide faible comprenant de l'acide acétique, la teneur de l'acide faible étant comprise entre 20% en poids et 95% en poids, de préférence entre 0% en poids et 80% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - un acide fort non oxydant comprenant de l'acide méthane sulfonique, la teneur de l'acide fort non oxydant étant comprise entre 5% en poids et 50% en poids, de préférence entre 15% en poids et 50% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide fluorhydrique, à une teneur comprise entre 0,2% en poids et 2% en poids par rapport au poids de la composition chimique, - de l'eau, à une teneur comprise entre 2% en poids et 20% en poids par rapport au poids de la composition chimique. Un autre objet de l'invention concerne un procédé de nettoyage pour retirer d'un substrat (1A, 1B, 4) une couche de passivation (2) comprenant des résidus de gravure résultant d'une gravure dudit substrat (1A, 1B, 4), comprenant les étapes suivantes: - fournir une composition chimique de nettoyage conforme à la composition précédente, - mettre en contact la composition chimique de nettoyage et la couche de passivation (2) pendant une durée suffisante pour retirer ladite couche de passivation (2) du substrat (1A, 1B, 4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)