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1. (WO2019002763) SOURCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/002763 N° de la demande internationale : PCT/FR2018/051571
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 27.06.2018
CIB :
H01S 5/10 (2006.01) ,H01S 5/14 (2006.01) ,H01S 3/08 (2006.01) ,H01S 3/081 (2006.01) ,H01S 3/083 (2006.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/06 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
14
Lasers à cavité externe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
08
Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
08
Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
081
comprenant plus de deux réflecteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
08
Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
081
comprenant plus de deux réflecteurs
083
Lasers en anneau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32
comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
323
dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
Déposants :
COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment le Ponant D 25 rue Leblanc 75015 PARIS, FR
Inventeurs :
WILMART, Quentin; FR
HASSAN, Karim; FR
OLIVIER, Ségolène; FR
Mandataire :
COLOMBO, Michel; FR
GUERIN, Jean-Philippe; FR
BIÉ, Nicolas; FR
Données relatives à la priorité :
175604129.06.2017FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER SOURCE
(FR) SOURCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A semiconductor laser source is provided, in which, in order to couple a third waveguide (15, 36) optically to a first waveguide (28) by means of a second waveguide (25), a resonant optical cavity comprises at least one grating-assisted contra-directional coupleur (24, 34) capable of converting essentially all the optical signal with a wavelength Au, propagated along the third waveguide (15, 36), into an optical signal having the same wavelength, propagated in the opposite direction in the first waveguide (28) or the second waveguide (25), this contra-directional coupler comprising for that purpose at least one portion formed in the third waveguide (15, 36) and a grating formed by patterns repeated with a regular pitch, this grating being formed in the second waveguide (25) or the third waveguide (15, 36).
(FR) Source laser à semi-conducteur dans laquelle, pour coupler optiquement un troisième guide d'onde (15, 36) à un premier guide d'onde (28) par l'intermédiaire d'un deuxième guide d'onde (25), une cavité optique résonante comporte au moins un coupleur contra-directionnel (24, 34) assisté par réseau apte à transformer l'essentiel du signal optique à une longueur d'onde Au qui se propage dans un sens le long du troisième guide d'onde (15, 36), en un signal optique de même longueur d'onde, qui se propage en sens opposé dans le premier (28) ou le deuxième (25) guide d'onde, ce coupleur contra-directionnel comportant à cet effet au moins une partie réalisée dans le troisième guide d'onde (15, 36) et un réseau de motifs répétés avec un pas régulier, ce réseau de motifs étant réalisé dans le deuxième (25) ou le troisième (15, 36) guide d'onde.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)