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1. (WO2019002083) CIRCUIT DE DÉTECTION DE COURANT ET CIRCUIT INTÉGRÉ
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N° de publication : WO/2019/002083 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/066558
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 21.06.2018
CIB :
G01R 19/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
19
Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
Déposants :
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventeurs :
ZHENG, Zhong; CN
JING, Na; CN
OUYANG, Yi; CN
XU, Xaiowen; CN
Données relatives à la priorité :
201720762779.X28.06.2017CN
Titre (EN) CURRENT SENSING CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE DÉTECTION DE COURANT ET CIRCUIT INTÉGRÉ
Abrégé :
(EN) The present utility model relates to a current sensing circuit and an integrated circuit, the current sensing circuit comprising:a second field-effect transistor for generating a sensing current proportional to a current flowing through a working circuit having a first field-effect transistor; a first bipolar transistor and a second bipolar transistor having bases connected together, wherein the emitters of the first bipolar transistor and the second bipolar transistor are respectively connected to the drains of the first field-effect transistor and the second field-effect transistor; an operational amplifier having its positive input and negative input connected to the collectors of the first bipolar transistor and the second bipolar transistor, respectively, and its output connected to the bases of the first bipolar transistor and the second bipolar transistor; and a third and fourth field-effect transistor for making the currents flowing through the first bipolar transistor and the second bipolar transistor the same. The current sensing circuit and integrated circuit can reduce the input offset of the operational amplifier without increasing the complexity or the cost of the circuit.
(FR) Le présent modèle d'utilité concerne un circuit de détection de courant et un circuit intégré, le circuit de détection de courant comprenant : un deuxième transistor à effet de champ permettant de générer un courant de détection proportionnel à un courant circulant à travers un circuit de travail ayant un premier transistor à effet de champ; un premier transistor bipolaire et un second transistor bipolaire ayant des bases connectées entre elles, les émetteurs du premier transistor bipolaire et du second transistor bipolaire étant respectivement connectés aux drains du premier transistor à effet de champ et du deuxième transistor à effet de champ; un amplificateur fonctionnel dont l'entrée positive et l'entrée négative sont connectées respectivement aux collecteurs du premier transistor bipolaire et du second transistor bipolaire, et dont la sortie est connectée aux bases du premier transistor bipolaire et du second transistor bipolaire; et un troisième et un quatrième transistor à effet de champ permettant aux courants de circuler à travers le premier transistor bipolaire et le second transistor bipolaire. Le circuit de détection de courant et le circuit intégré peuvent réduire le décalage d'entrée de l'amplificateur fonctionnel sans augmenter la complexité ou le coût du circuit.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)