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1. (WO2019001934) PROCESSUS DE MOULAGE PAR MICROTRANSFERT ET SUBSTRAT À MOTIFS POUVANT ÊTRE OBTENU À PARTIR DE CELUI-CI
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N° de publication : WO/2019/001934 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/065197
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
G03F 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
Déposants :
UNIVERSITE D'AIX-MARSEILLE [FR/FR]; Jardin du Pharo 58 boulevard Charles Livon 13007 MARSEILLE, FR
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel Ange 75016 PARIS, FR
UNIVERSITE DE TOULON [FR/FR]; Avenue de l'Université 83130 La Garde, FR
Inventeurs :
GROSSO, David; FR
BOTTEIN, Thomas; FR
Mandataire :
CABINET BECKER ET ASSOCIES; 25, rue Louis le Grand 75002 PARIS, FR
Données relatives à la priorité :
17305823.129.06.2017EP
Titre (EN) MICROTRANSFER MOLDING PROCESS AND PATTERNED SUBSTRATE OBTAINABLE THEREFROM
(FR) PROCESSUS DE MOULAGE PAR MICROTRANSFERT ET SUBSTRAT À MOTIFS POUVANT ÊTRE OBTENU À PARTIR DE CELUI-CI
Abrégé :
(EN) Microtransfer molding process and patterned substrate obtainable therefrom The present invention pertains to the field of nanoimprint lithography (NIL) processes and more specifically to a MicroTransfer Molding process used for providing a sol-gel patterned layer on a substrate without any residual layer. The process comprises the following successive steps: (a) impregnating a soft mold with a sol-gel layer coated on a first substrate, under conditions of a relative solvent pressure adjusted such that the layer swells by vapor absorption between 10 and 60%vol., so as to fill the mold under the action of capillary forces, (b) removing the first substrate, (c) if needed, equilibrating the gel within the mold cavities, under a relative solvent pressure between 0 and 95%, in order to allow it to swell, (d) applying the swollen gel onto a second substrate to be patterned, (e) thermally treating this assembly so as to rigidify the gel, (f) removing the mold, and (g) curing the gel into a ceramic, thus forming a patterned substrate.
(FR) La présente invention appartient au domaine des processus de lithographie par nano-impression (NIL) et plus particulièrement à un processus de moulage par microtransfert utilisé pour fournir une couche à motifs sol-gel sur un substrat sans aucune couche résiduelle. Le procédé comprend les étapes successives suivantes : (a) imprégnation d'un moule souple avec une couche sol-gel revêtue sur un premier substrat, dans des conditions d'une pression relative de solvant ajustée de sorte que la couche gonfle par absorption de vapeur entre 10 et 60 % en volume, de manière à remplir le moule sous l'action de forces capillaires, (b) élimination du premier substrat, (c) si nécessaire, équilibrage du gel à l'intérieur des cavités de moule, sous une pression relative de solvant entre 0 et 95 %, afin de lui permettre de gonfler, (d) application du gel gonflé sur un second substrat destiné à présenter des motifs, (e) traitement thermique de cet ensemble de sorte à rigidifier le gel, (f) retrait du moule, et (g) durcissement du gel en une céramique, formant ainsi un substrat à motifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)