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1. (WO2019001584) STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/001584 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/093905
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 30.06.2018
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8242
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN/CN]; Room 630, Haiheng Building, No. 6, Cuiwei Road, Economic and Technological Development Zone, Hefei, Anhui 230000, CN
Inventeurs :
ZHU, Rongfu; CN
Mandataire :
METIS IP (CHENGDU) LLC; (No. 846 South Tianfu Road) Tianfu Innovation Center Chengdu, Sichuan 610213, CN
Données relatives à la priorité :
201710520597.630.06.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF
(FR) STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A method may include providing a substrate; forming a gate structure on the substrate; forming a spacer structure on the gate structure, and forming a contacting conductive structure on the spacer structure. The spacer structure may cover a side wall of the gate structure. The spacer structure may include first spacer having a first dielectric constant and second spacer having a second dielectric constant different from the first dielectric constant. The contacting conductive structure may cover a side wall of the spacer structure that is defined by a first side surface of the first spacer and a second side surface of the second space. A ratio of an area of the second side surface of the second spacer to a total area of the side wall of the space structure may be in a range from 78% to 98%.
(FR) Un procédé peut consister à utiliser un substrat; à former une structure de grille sur le substrat; à former une structure d'entretoise sur la structure de grille, et à former une structure conductrice de contact sur la structure d'entretoise. La structure d'entretoise peut recouvrir une paroi latérale de la structure de grille. La structure d'entretoise peut comprendre une première entretoise ayant une première constante diélectrique et une seconde entretoise ayant une seconde constante diélectrique différente de la première constante diélectrique. La structure conductrice de contact peut recouvrir une paroi latérale de la structure d'entretoise qui est définie par une première surface latérale de la première entretoise et une seconde surface latérale de la seconde entretoise. Un rapport d'une superficie de la seconde surface latérale de la seconde entretoise à une superficie totale de la paroi latérale de la structure d'entretoise peut se situer dans une plage de 78 % à 98 %.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)