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1. (WO2019001066) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/001066 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/081832
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 04.04.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥京东方光电科技有限公司 HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 铜陵北路2177号 No.2177 Tonglingbei Road Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
朴求铉 PARK, Kuhyun; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区 湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201710500420.X27.06.2017CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
Abrégé :
(EN) Provided are a thin-film transistor and a manufacturing method therefor, an array substrate and a display apparatus. The thin-film transistor comprises a base substrate, a gate electrode located on the base substrate, a gate insulation layer covering the gate electrode, an active layer located on the gate insulation layer, a first electrode and a second electrode located above the active layer and electrically connected to the active layer, and a first insulation portion located between the gate insulation layer and the first electrode. An orthogonal projection, on the base substrate, of the first insulation portion, an orthogonal projection, on the base substrate, of the first electrode, and an orthogonal projection, on the base substrate, of a boundary between a side face of the gate electrode and an upper surface of the gate electrode at least partially overlap.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un appareil d’affichage. Le transistor à couches minces comprend un substrat de base, une électrode de grille située sur le substrat de base, une couche d'isolation de grille recouvrant l'électrode de grille, une couche active située sur la couche d'isolation de grille, une première électrode et une seconde électrode situées au-dessus de la couche active et connectées électriquement à la couche active, et une première partie d'isolation située entre la couche d'isolation de grille et la première électrode. Une projection orthogonale, sur le substrat de base, de la première partie d'isolation, une projection orthogonale, sur le substrat de base, de la première électrode et une projection orthogonale, sur le substrat de base, d'une limite entre une face latérale de l'électrode de grille et une surface supérieure de l'électrode de grille se chevauchent au moins partiellement.
(ZH) 本公开提供了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管包括衬底基板、位于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的有源层、位于所述有源层上方且与所述有源层电连接的第一电极和第二电极,以及位于所述栅极绝缘层与所述第一电极之间的第一绝缘部。所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影、所述第一电极在所述衬底基板上的正投影,以及所述栅极的侧面与所述栅极的上表面的交界在衬底基板上的正投影,三者至少部分重叠。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)