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1. (WO2019000274) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
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N° de publication : WO/2019/000274 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/090554
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 28.06.2017
CIB :
C23C 14/54 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
54
Commande ou régulation du processus de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
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Evaporation sous vide
Déposants :
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No.8288 Longgang Road Henggang Street, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
Inventeurs :
刘启富 LIU, Qifu; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80, Xian Lie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
Abrégé :
(EN) A film forming device and a film forming method. The film forming device (10) comprises a machine (11). At least two material containers (14, 16) and at least two secondary driving means (13, 15) are provided on the machine (11) side by side; each of the material containers (14, 16) are provided with multiple spraying portions (141, 161) side by side at intervals; the secondary driving means (13, 15) are correspondingly connected to the material containers (14, 16) for driving the material containers (14, 16) to rotate. The film forming method comprises: forming a first thin film on a substrate (100); determining the film thickness of the first thin film at each position; and forming a second thin film on the first thin film according to the determined result, so that the film thickness at each position of a film layer obtained after superposing the second film and the first film is consistent.
(FR) L'invention concerne un dispositif de formation de film et un procédé de formation de film. Le dispositif de formation de film (10) comprend une machine (11). Au moins deux contenants de matériau (14, 16) et au moins deux moyens d'entraînement secondaires (13, 15) sont disposés côte à côte sur la machine (11); chacun des contenants de matériau (14, 16) est pourvu de multiples parties de pulvérisation (141, 161), disposées côte à côte suivant des intervalles; les moyens d'entraînement secondaires (13, 15) sont reliés de manière correspondante aux contenants de matériau (14, 16) pour entraîner ces derniers en rotation. Le procédé de formation de film comprend : la formation d'un premier film mince sur un substrat (100); la détermination de l'épaisseur de film du premier film mince en tout endroit; et la formation d'un second film mince sur le premier film mince en fonction du résultat déterminé, de telle sorte que l'épaisseur de film en tout endroit d'une couche de film obtenue après superposition du second film et du premier film est régulière.
(ZH) 一种成膜设备及成膜方法,所述成膜设备(10)包括机台(11),所述机台(11)上并排设有至少两个材料容器(14、16)及至少两个次级驱动装置(13、15);每个所述材料容器(14、16)上并排间隔设有多个喷涂部(141、161);一个所述次级驱动装置(13、15)与一个所述材料容器(14、16)对应相连,用于驱动所述材料容器(14、16)转动。所述成膜方法包括:在基板(100)上形成第一薄膜;确定所述第一薄膜的各个位置的膜厚;根据所确定的结果,在所述第一薄膜上形成第二薄膜,使得所述第二薄膜与所述第一薄膜叠加之后的膜层的各个位置的膜厚一致。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)