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1. (WO2018235715) MODULE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2018/235715 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/022700
Date de publication : 27.12.2018 Date de dépôt international : 14.06.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
松川 喜孝 MATSUKAWA, Yoshitaka; JP
勝部 彰夫 KATSUBE, Akio; JP
Mandataire :
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12016020.06.2017JP
Titre (EN) MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) モジュールおよびその製造方法
Abrégé :
(EN) This module 1 is provided with: a substrate 2; a plurality of components 3 which are mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a component 4 which is mounted on a lower surface 2b; a solder ball 5 which is mounted on the lower surface 2b and functions as an external connection terminal; sealing resin layers 6a, 6b which are respectively laminated on the upper surface 2a and the upper surface 2b of the substrate 2; and a shield film 7 which covers the lateral surface and the upper surface of the module 1. The solder ball 5 is partially exposed from a surface 60b of the sealing resin layer 6b; and the exposed portion thereof protrudes from the sealing resin layer 6b. The module 1 is able to be connected to a mother board by connecting the protruding portion of the solder ball 5 to an electrode of the mother board, so that the protruding portion functions as an external connection terminal. There is a void space 9 between the solder ball 5 and the sealing resin layer 6b, so that the stress due to the thermal expansion coefficient difference between the solder and the resin is reduced, thereby suppressing the occurrence of a crack in the solder ball 5.
(FR) L'invention concerne un module 1 qui est pourvu : d'un substrat 2 ; d'une pluralité de composants 3 qui sont montés sur une surface supérieure 2a du substrat 2 ; d'un composant 4 qui est monté sur une surface inférieure 2b ; d'une bille de soudure 5 qui est montée sur la surface inférieure 2b et fonctionne comme un terminal de connexion externe ; de couches de résine d'étanchéité 6a, 6b qui sont respectivement stratifiées sur la surface supérieure 2a et la surface supérieure 2b du substrat 2 ; et d'un film de protection 7 qui recouvre la surface latérale et la surface supérieure du module 1. La bille de soudure 5 est partiellement exposée à partir d'une surface 60b de la couche de résine d'étanchéité 6b ; et la partie exposée de celle-ci fait saillie à partir de la couche de résine d'étanchéité 6b. Le module peut être connecté à une carte mère en connectant la partie en saillie de la bille de soudure à une électrode de la carte mère, de telle sorte que la partie en saillie fonctionne comme un terminal de connexion externe. Il y a un espace vide 9 entre la bille de soudure 5 et la couche de résine d'étanchéité 6b, de telle sorte que la contrainte due à la différence de coefficient de dilatation thermique entre la brasure et la résine est réduite, ce qui permet de supprimer l'apparition d'une fissure dans la bille de soudure 5.
(JA) モジュール1は、基板2と、基板2の上面2aに実装された複数の部品3と、下面2bに実装された部品4と、下面2bに実装され、外部接続端子として機能する半田ボール5と、基板2の上面2aおよび上面2bに積層された封止樹脂層6a、6bと、モジュール1の側面と上面を覆うシールド膜7とを備える。半田ボール5は、封止樹脂層6bの表面60bから一部が露出しており、露出した部分が封止樹脂層6bから突出した形状となっている。半田ボール5の突出部分を外部接続端子としてマザー基板の電極と接続することにより、モジュール1をマザー基板に接続することができる。半田ボール5と封止樹脂層6bとの間には空隙部9があり、半田と樹脂との熱膨張係数の差によるストレスを軽減して、半田ボール5にクラックが発生することを抑制することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)