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1. (WO2018235330) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/235330 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/004083
Date de publication : 27.12.2018 Date de dépôt international : 06.02.2018
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs :
道越 久人 MICHIKOSHI, Hisato; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2017-12026220.06.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor device having a first electrode terminal, a second electrode terminal, a semiconductor element, the electrode on one surface of which is connected to one surface of the first electrode terminal, wiring for connecting the second electrode terminal and the electrode on the other surface of the semiconductor element to one another, and a resin section formed from an insulating body which covers the semiconductor element, part of the second electrode terminal, and the one surface of the first electrode terminal, wherein a beveled section is formed in one or both of the end sections of the first and second electrode terminals where said terminals face one another.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant des première et seconde bornes d'électrode, un élément semi-conducteur dont l'électrode sur une surface est connectée à une surface de la première borne d'électrode, câblage permettant de connecter ensemble la seconde borne d'électrode et l'électrode sur l'autre surface de l'élément semi-conducteur, et une section de résine formée d'un corps isolant qui recouvre l'élément semi-conducteur, une partie de la seconde borne d'électrode ainsi que la surface de la première borne d'électrode, une section biseautée étant formée dans au moins une section des deux sections d'extrémité des première et seconde bornes d'électrode où lesdites bornes se font face.
(JA) 半導体装置は、第1の電極端子と、第2の電極端子と、第1の電極端子の一方の面に、一方の面の電極が接続された半導体素子と、半導体素子の他方の面の電極と第2の電極端子とを接続する配線と、半導体素子、第2の電極端子の一部及び第1の電極端子の一方の面を覆う絶縁体により形成された樹脂部と、を有し、第1の電極端子と第2の電極端子とが対向する端部の少なくとも一方には、面取り部が形成されている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)