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1. (WO2018233950) PUCE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT DES PALIERS INTÉRIEURS SIMILAIRES À DES TERRASSES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2018/233950 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/062978
Date de publication : 27.12.2018 Date de dépôt international : 17.05.2018
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/24 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
14
ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
24
de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
16
ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
TONKIKH, Alexander; DE
Mandataire :
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 113 383.619.06.2017DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CHIP HAVING INTERNAL TERRACE-LIKE STEPS, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT DES PALIERS INTÉRIEURS SIMILAIRES À DES TERRASSES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERCHIP MIT INNEREN TERRASSENÄHNLICHEN STUFEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS
Abrégé :
(EN) A semiconductor chip (10) comprising a semiconductor body (2), a current spreading layer (3) and a contact structure (4) is specified, wherein the semiconductor body comprises a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an intervening active layer (23), and the current spreading layer is arranged in a vertical direction between the contact structure and the semiconductor body. The semiconductor body has a plurality of internal steps (24) configured in a terrace-like manner, wherein the contact structure comprises a plurality of conductor tracks (42) which are arranged with regard to the lateral orientations thereof in relation to the lateral orientations of the internal steps in such a way that current spreading along the internal steps is promoted vis-à-vis current spreading transversely with respect to the internal steps. Furthermore, a method for producing such a semiconductor chip is specified.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice (10) pourvue d'un corps semi-conducteur (2) d'une couche d'étalement de courant (3) et d'une structure de contact (4). Le corps semi-conducteur comprend une première couche semi-conductrice (21), une deuxième couche semi-conductrice (22) et une couche active (23) intercalée entre ces dernières. La couche d'étalement de courant est disposée dans une direction verticale entre la structure de contact et le corps semi-conducteur. Le corps semi-conducteur comporte une multitude de paliers (24) intérieurs qui sont réalisés de manière similaire à des terrasses. La structure de contact comprend une multitude de pistes conductrices (42) qui sont disposées, eu égard à leurs orientations latérales, par rapport aux orientations latérales des paliers intérieurs de telle manière qu'un étalement de courant est favorisé le long des paliers intérieurs par rapport à un étalement de courant de manière transversale par rapport aux paliers intérieurs. L’invention concerne par ailleurs un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice de ce type.
(DE) Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer Stromaufweitungsschicht (3) und einer Kontaktstruktur (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Schicht (23) umfasst und die Stromaufweitungsschicht in vertikaler Richtung zwischen der Kontaktstruktur und dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine Mehrzahl von inneren Stufen (24) auf, die terrassenähnlich ausgebildet sind, wobei die Kontaktstruktur eine Mehrzahl von Leiterbahnen (42) umfasst, die hinsichtlich deren lateraler Orientierungen in Bezug zu den lateralen Orientierungen der inneren Stufen derart angeordnet sind, dass eine Stromaufweitung entlang der inneren Stufen gegenüber einer Stromaufweitung quer zu den inneren Stufen begünstigt ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)