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1. (WO2018227991) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION AINSI QUE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/227991 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/076636
Date de publication : 20.12.2018 Date de dépôt international : 13.02.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No. 10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015, CN
成都京东方光电科技有限公司 CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国四川省成都市 高新区(西区)合作路1188号 No. 1188 Hezuo Road, (West Zone) Hi-Tech Development Zone Chengdu, Sichuan 611731, CN
Inventeurs :
冯佑雄 FENG, Yu Hsiung; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710456964.016.06.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR, DISPLAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION AINSI QUE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
Abrégé :
(EN) A thin film transistor and a preparation method therefor, a display substrate and a preparation method therefor, and a display device. The preparation method for a thin film transistor comprises: forming an active layer (103) on a substrate (101); forming a gate (105) above the active layer (103), and performing first doping on the active layer (103) with the gate (105) as a mask; forming a metal layer (107) above the gate (105), the metal layer (107) being insulated from the gate (105) and having a protruding portion (1071); and performing second doping on the active layer (103) with the metal layer (107) as a mask. The process difficulty is reduced while the leakage current of the thin film transistor is reduced.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de préparation, un substrat d'affichage et son procédé de préparation ainsi qu'un dispositif d'affichage. Le procédé de préparation d'un transistor à couches minces consiste à : former une couche active (103) sur un substrat (101) ; former une grille (105) au-dessus de la couche active (103), et réaliser un premier dopage sur la couche active (103) avec la grille (105) en tant que masque ; former une couche métallique (107) au-dessus de la grille (105), la couche métallique (107) étant isolée de la grille (105) et ayant une partie en saillie (1071) ; et réaliser un second dopage sur la couche active (103) avec la couche métallique (107) en tant que masque. La difficulté de traitement est réduite tandis que le courant de fuite du transistor à couches minces est réduit.
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法、以及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括:在衬底基板(101)上形成有源层(103);在有源层(103)上方形成栅极(105),以栅极(105)为掩模对有源层(103)进行第一次掺杂;在栅极(105)上方形成金属层(107),金属层(107)与栅极(105)绝缘并具有突出部(1071),以金属层(107)为掩模对有源层(103)进行第二次掺杂。在减小薄膜晶体管的漏电流的同时降低了工艺难度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)