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1. (WO2018227655) MODULE DE PUISSANCE À FAIBLE INDUCTANCE PARASITE ET MODULE DE PUISSANCE À FAIBLE INDUCTANCE PARASITE À DISSIPATION DE CHALEUR DOUBLE FACE
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N° de publication : WO/2018/227655 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/090248
Date de publication : 20.12.2018 Date de dépôt international : 27.06.2017
CIB :
H01L 23/14 (2006.01) ,H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/49 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14
caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
49
du type fils de connexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
Déposants :
扬州国扬电子有限公司 YANGZHOU GUOYANG ELECTRONIC CO.,LTD. [CN/CN]; 中国江苏省扬州市 经济开发区吴州东路188号 No. 188, Wuzhou East Road, Economic Development Zone Yangzhou, Jiangsu 225009, CN
Inventeurs :
牛利刚 NIU, Ligang; CN
王玉林 WANG, Yulin; CN
滕鹤松 TENG, Hesong; CN
徐文辉 XU, Wenhui; CN
Mandataire :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM(ORDINARY PARTNERSHIP); 中国江苏省南京市 白下区中山东路198号龙台国际大厦1912室 Room 1912, Longtaiguoji Mansion,No.198,East Zhongshan Street, Baixia District Nanjing, Jiangsu 210005, CN
Données relatives à la priorité :
201710448407.414.06.2017CN
Titre (EN) LOW PARASITIC INDUCTANCE POWER MODULE AND DOUBLE-SIDED HEAT-DISSIPATION LOW PARASITIC INDUCTANCE POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE À FAIBLE INDUCTANCE PARASITE ET MODULE DE PUISSANCE À FAIBLE INDUCTANCE PARASITE À DISSIPATION DE CHALEUR DOUBLE FACE
(ZH) 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块
Abrégé :
(EN) A low parasitic inductance power module, comprising: an input power terminal, an output power terminal (3), a top metal insulating substrate (4), a bottom metal insulating substrate (5), and a plastic package (15); the input power terminal comprises a positive power terminal (1) and a negative power terminal (2); the top metal insulating substrate (4) and the bottom metal insulating substrate (5) are stacked; chips are sintered on the face of the top metal insulating substrate (4) and the face of the bottom metal insulating substrate (5) that are opposite to each other, and the positive power terminal (1), the negative power terminal (2), and the output power terminal (3) are electrically connected to the chips; the output power terminal (3) comprises a soldering portion (31) and a connection portion (32) located outside the plastic package (15), and the soldering portion (31) is located between the top metal insulating substrate (4) and the bottom metal insulating substrate (5). Said power module lowers the parasitic inductance of a circuit, has a reduced power module volume, saves costs, and has a reduced weight, particularly being suitable for the packaging of a SiC power chip, and has an improved overcurrent capability, improving the reliability of the module.
(FR) L'invention porte sur un module de puissance à faible inductance parasite, comprenant : une borne de puissance d'entrée, une borne de puissance de sortie (3), un substrat isolant métallique supérieur (4), un substrat isolant métallique inférieur (5) et un boîtier en plastique (15); la borne de puissance d'entrée comprend une borne de puissance positive (1) et une borne de puissance négative (2); le substrat isolant métallique supérieur (4) et le substrat isolant métallique inférieur (5) sont empilés; des puces sont frittées sur la face du substrat isolant métallique supérieur (4) et la face du substrat isolant métallique inférieur (5) qui sont en regard l'une de l'autre, et la borne de puissance positive (1), la borne de puissance négative (2) et la borne de puissance de sortie (3) sont électriquement connectées aux puces; la borne de puissance de sortie (3) comprend une partie de brasage (31) et une partie de connexion (32) située à l'extérieur du boîtier en plastique (15), et la partie de brasage (31) est située entre le substrat isolant métallique supérieur (4) et le substrat isolant métallique inférieur (5). Ledit module de puissance abaisse l'inductance parasite d'un circuit, a un volume de module de puissance réduit, économise les coûts et a un poids réduit, étant en particulier approprié pour la mise sous boîtier d'une puce de puissance au SiC, et a une tenue aux surintensités améliorée, améliorant la fiabilité du module.
(ZH) 一种低寄生电感功率模块,包括输入功率端子、输出功率端子(3)、顶部金属绝缘基板(4)、底部金属绝缘基板(5)和塑封外壳(15),输入功率端子包括正极功率端子(1)、负极功率端子(2),顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)叠层设置,顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)在二者相对的面上均烧结有芯片,正极功率端子(1)、负极功率端子(2)以及输出功率端子(3)均与芯片电连接;输出功率端子(3)包括焊接部(31)和位于塑封外壳(15)外部的连接部(32),焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)之间。该功率模块大大降低了回路寄生电感,减小了功率模块的体积,节约了成本,减轻了重量,尤其适合SiC功率芯片的封装,充分提高了过流能力,提高了模块的可靠性。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)