Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018227308) DISPOSITIFS INERTIELS À INTÉGRATION AU NIVEAU DE LA GALETTE DE MASSES ÉTALONS À DENSITÉ SUPÉRIEURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/227308 N° de la demande internationale : PCT/CA2018/050736
Date de publication : 20.12.2018 Date de dépôt international : 18.06.2018
CIB :
G01C 19/5712 (2012.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81B 7/02 (2006.01) ,G01P 15/02 (2013.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
19
Gyroscopes; Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes; Dispositifs sensibles à la rotation sans masse en mouvement; Mesure de la vitesse angulaire en utilisant les effets gyroscopiques
56
Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p.ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis
5705
utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe
5712
les dispositifs comportant une structure micromécanique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3
Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7
Systèmes à microstructure
02
comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
P
MESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15
Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02
en ayant recours aux forces d'inertie
Déposants :
SOCIETE DE COMMERCIALISATION DES PRODUITS DE LA RECHERCHE APPLIQUÉE SOCPRA SCIENCES ET GÉNIE S.E.C. [CA/CA]; S TransferTech Sherbrooke, Pavillon Irénée-Pinard, 2500, boul. de l'Université, B6-3012 Sherbrooke, Québec J1K 2R1, CA
Inventeurs :
DOMPIERRE, André; CA
FRECHETTE, Luc; CA
Mandataire :
NORTON ROSE FULBRIGHT CANADA LLP S.E.N.C.R.L., S.R.L.; Suite 2500 1 Place Ville-Marie Montréal, Québec H3B 1R1, CA
Données relatives à la priorité :
62/520,75116.06.2017US
Titre (EN) INERTIAL DEVICES WITH WAFER-LEVEL INTEGRATION OF HIGHER DENSITY PROOF MASSES AND METHOD OF MANUFACTURING
(FR) DISPOSITIFS INERTIELS À INTÉGRATION AU NIVEAU DE LA GALETTE DE MASSES ÉTALONS À DENSITÉ SUPÉRIEURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An inertial device comprises a frame. A cantilever beam has a first end connected to the frame and a second end cantilevered relative to the frame, the cantilevered beam forming a spring portion between the first end and the second end, the cantilever beam having a support surface defining a support area. The frame and the cantilever beam are made from a support wafer, the support wafer being made of silicon, a thickness of the support wafer at the support area ranging between 0 µm and 800 µm. A mass bonded to the support surface of the silicon wafer at the support area, the mass being made of tungsten, a thickness of the mass being of at least 20 µm.
(FR) L'invention concerne un dispositif inertiel comprenant un cadre. Une poutre en porte-à-faux possède une première extrémité reliée au cadre et une deuxième extrémité en porte-à-faux par rapport au cadre, la poutre en porte-à-faux formant une portion de ressort entre la première extrémité et la deuxième extrémité, la poutre en porte-à-faux ayant une surface support définissant une zone de support. Le cadre et la poutre en porte-à-faux sont fabriqués à partir d'une galette support en silicium. Une épaisseur de la galette support au niveau de la zone de support est comprise entre 0 µm et 800 µm. Une masse est liée à la surface support de la galette en silicium au niveau de la zone de support, la masse étant constituée de tungstène et ayant une épaisseur d'au moins 20 µm.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)