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1. (WO2018227074) NANOMATÉRIAU DE CONVERSION-ABAISSEMENT DE NITRURE III POUR DES DEL BLANCHES
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N° de publication : WO/2018/227074 N° de la demande internationale : PCT/US2018/036642
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
F21K 9/00 (2016.01) ,F21K 9/64 (2016.01)
[IPC code unknown for F21K 9][IPC code unknown for F21K 9/64]
Déposants :
UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS [US/US]; 225 Franklin Street Boston, Massachusetts 02110, US
Inventeurs :
GUO, Wei; US
Mandataire :
LOPEZ, Orlando; US
COHEN, Jerry; US
GOMES, David, W.; US
FOLEY, Shawn, P.; US
JOBSE, Bruce, D.; US
MILLS, Steven, M.; US
SERIO, John, C.; US
SORKIN, Paul, D.; US
MOORE, Ronda, P.; US
QUINN, Joseph, P.; US
SUSAN, Janine, M.; US
CHACLAS, George, N.; US
MARAIA, Joseph, M.; US
GROLNIC, Marlo, Schepper; US
COWLES, Christopher, R.; US
GOLDMAN, Gabriel; US
CLARKE, Daniel, W.; US
HASAN, Shahid; US
EMMONS, Richard, B.; US
MCGRATH, Daniel; US
Données relatives à la priorité :
62/517,22109.06.2017US
Titre (EN) III-NITRIDE DOWN-CONVERSION NANOMATERIAL FOR WHITE LEDS
(FR) NANOMATÉRIAU DE CONVERSION-ABAISSEMENT DE NITRURE III POUR DES DEL BLANCHES
Abrégé :
(EN) A phosphor component that includes a plurality of nanowires absorbing light at one wavelength and emitting light at a longer wavelength, the longer wavelength being from about 495 nm to about 780 nm, each one of the plurality of nanowires being one of a nanowire described by a composition formula of InxGa1-xN, x being between about 0.1 to about 0.6 or a GaN nanowire having InxGa1-xN discs in a nanowire structure, x being between about 0.1 to about 0.8 and a light emitting device using the phosphor component are disclosed.
(FR) La présente invention porte sur un composant luminophore qui comprend une pluralité de nanofils absorbant la lumière à une longueur d'onde et émettant de la lumière à une longueur d'onde plus longue, la longueur d'onde plus longue étant comprise entre environ 495 nm et environ 780 nm, chaque nanofil de la pluralité de nanofils étant soit un nanofil décrit par une formule de composition d'InxGa1-xN, x étant compris entre environ 0,1 et environ 0,6, soit un nanofil de GaN ayant des disques InxGa1-xN dans une structure de nanofil, x étant compris entre environ 0,1 et environ 0,8, et sur un dispositif électroluminescent utilisant le composant luminophore.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)