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1. (WO2018227004) LASERS À LARGE SURFACE, HAUTE LUMINOSITÉ ET FAIBLE DIVERGENCE
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N° de publication : WO/2018/227004 N° de la demande internationale : PCT/US2018/036534
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 07.06.2018
CIB :
G02B 6/14 (2006.01) ,H01S 5/14 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
14
Convertisseurs de mode
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
14
Lasers à cavité externe
Déposants :
NLIGHT, INC. [US/US]; 5408 NE 88th Street, Bldg. E Vancouver, WA 98665, US
Inventeurs :
CHEN, Zhigang; US
KANSKAR, Manoj; US
Mandataire :
MCGRATH, Ethan; US
Données relatives à la priorité :
62/517,33209.06.2017US
Titre (EN) LOW DIVERGENCE HIGH BRIGHTNESS BROAD AREA LASERS
(FR) LASERS À LARGE SURFACE, HAUTE LUMINOSITÉ ET FAIBLE DIVERGENCE
Abrégé :
(EN) Apparatus comprise a semiconductor waveguide extending along a longitudinal axis and including a first waveguide section and a second waveguide section, wherein a lateral refractive index difference defining the semiconductor waveguide is larger for the first waveguide section than for the second waveguide section, and an output facet situated on the longitudinal axis of the semiconductor waveguide so as to emit a laser beam propagating in the semiconductor waveguide, wherein the first waveguide section is situated between the second waveguide section and the output facet and wherein the lateral refractive index difference suppresses emission of higher order transverse modes in the laser beam emitted by the output facet.
(FR) Un appareil selon l'invention comprend un guide d'ondes à semi-conducteur s'étendant le long d'un axe longitudinal et comprenant une première section de guide d'ondes et une seconde section de guide d'ondes, une différence d'indice de réfraction latérale définissant le guide d'ondes à semi-conducteur étant plus grande pour la première section de guide d'ondes que pour la seconde section de guide d'ondes, et une facette de sortie située sur l'axe longitudinal du guide d'ondes à semi-conducteur de manière à émettre un faisceau laser se propageant dans le guide d'ondes à semi-conducteur, la première section de guide d'ondes étant située entre la seconde section de guide d'ondes et la facette de sortie, et la différence d'indice de réfraction latérale supprimant l'émission des modes transversaux d'ordre supérieur dans le faisceau laser émis par la facette de sortie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)