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1. (WO2018226511) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À FAIBLE FUITE
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N° de publication : WO/2018/226511 N° de la demande internationale : PCT/US2018/035503
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 31.05.2018
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 16.11.2018
CIB :
H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
Déposants :
PSEMI CORPORATION [US/US]; 9380 Carroll Park Drive San Diego, California 92121, US
Inventeurs :
PAUL, Abhijeet; US
WILLARD, Simon Edward; US
DUVALLET, Alain; US
Mandataire :
CASH, Brian J.; US
STEINFL, Alessandro; US
PEREZ, Ronald E.; US
DONG, Lun-Cong; US
XU, Jiancong; US
Données relatives à la priorité :
15/616,81107.06.2017US
Titre (EN) LOW LEAKAGE FET
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À FAIBLE FUITE
Abrégé :
(EN) FET designs that exhibit low leakage in the presence of the edge transistor phenomenon. Embodiments includes nFET designs in which the work function MF of the gate structure overlying the edge transistors of the nFET is increased by forming extra P+ implant regions within at least a portion of the gate structure, thereby increasing the Vt of the edge transistors to a level that may exceed the Vt of the central conduction channel of the nFET. In some embodiments, the gate structure of the nFET is modified to increase or "flare" the effective channel length of the edge transistors relative to the length of the central conduction channel of the FET. Other methods of changing the work function MF of the gate structure overlying the edge transistors are also disclosed. The methods may be adapted to fabricating pFETs by reversing or substituting material types.
(FR) La présente invention concerne des conceptions de transistor à effet de champ (TEC) qui présentent une faible fuite en présence du phénomène de transistor de bord. Des modes de réalisation comprennent des conceptions de nTEC dans lesquelles la fonction de travail MF de la structure de grille recouvrant les transistors de bord du nTEC est augmentée en formant des régions d'implant P + supplémentaires à l'intérieur d'au moins une partie de la structure de grille, ce qui permet d'augmenter la tension Vt des transistors de bord à un niveau qui peut dépasser la Vt du canal de conduction central du nTEC. Dans certains modes de réalisation, la structure de grille du nTEC est modifiée pour augmenter ou "évaser" la longueur de canal efficace des transistors de bord par rapport à la longueur du canal de conduction central du TEC. L'invention concerne également d'autres procédés de modification de la fonction de travail MF de la structure de grille recouvrant les transistors de bord. Les procédés peuvent être adaptés à la fabrication de pTECs en inversant ou en substituant des types de matériaux.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)