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1. (WO2018226478) FONCTIONNEMENT DE CELLULE DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE À DOUBLE MODE
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N° de publication : WO/2018/226478 N° de la demande internationale : PCT/US2018/035092
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 30.05.2018
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
22
utilisant des éléments ferro-électriques
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
VIMERCATI, Daniele; US
Mandataire :
HARRIS, Philip W.; US
Données relatives à la priorité :
15/618,39309.06.2017US
Titre (EN) DUAL MODE FERROELECTRIC MEMORY CELL OPERATION
(FR) FONCTIONNEMENT DE CELLULE DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE À DOUBLE MODE
Abrégé :
(EN) Methods, systems, and devices for dual mode ferroelectric memory cell operation are described. A memory array or portions of the array may be variously operated in volatile and non-volatile modes. For example, a memory cell may operate in a non-volatile mode and then operate in a volatile mode following a command initiated by a controller while the cell is operating in the non-volatile mode. The memory cell may operate in the volatile mode and then operate in the non-volatile mode following a subsequent command. In some examples, one memory cell of the memory array may operate in the non-volatile mode while another memory cell of the memory array operates in the volatile mode.
(FR) L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs de fonctionnement de cellule de mémoire ferroélectrique à double mode. Un réseau de mémoire ou des parties du réseau peuvent être exploités de diverses manières dans des modes volatils et non volatils. Par exemple, une cellule de mémoire peut fonctionner dans un mode non volatil et ensuite fonctionner dans un mode volatil suite à une commande initiée par un dispositif de commande pendant que la cellule fonctionne dans le mode non volatil. La cellule de mémoire peut fonctionner dans le mode volatil et ensuite fonctionner dans le mode non volatil suite à une commande ultérieure. Dans certains exemples, une cellule de mémoire du réseau de mémoire peut fonctionner dans le mode non volatil tandis qu'une autre cellule de mémoire du réseau de mémoire fonctionne en mode volatil.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)