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1. (WO2018226284) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTOÉLECTRIQUE À ULTRA-FAIBLE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/226284 N° de la demande internationale : PCT/US2018/022145
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 13.03.2018
CIB :
G01R 33/032 (2006.01) ,G01R 33/18 (2006.01) ,G01R 33/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
032
en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p.ex. par effet Faraday
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
12
Mesure de propriétés magnétiques des articles ou échantillons de solides ou de fluides
18
Mesure des propriétés de magnétostriction
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
Déposants :
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203, US
CARNEGIE MELLON UNIVERSITY; 5000 Forbes Avenue Pittsburgh, PA 15213, US
Inventeurs :
FINKEL, Peter; US
BENNETT, Steven, P.; US
STARUCH, Margo; US
BUSSMANN, Konrad; US
BALDWIN, Jeffrey, W.; US
MATIS, Bernard, R.; US
LACOMB, Ronald; US
ZAPPONE, William; US
LACOMB, Julie; US
METZLER, Meredith; US
GOTTRON, Norman; US
Mandataire :
BROOME, Kerry, L.; US
Données relatives à la priorité :
62/470,48913.03.2017US
Titre (EN) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTOÉLECTRIQUE À ULTRA-FAIBLE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) A high-sensitivity and ultra-low power consumption magnetic sensor using a magnetoelectric (ME) composite comprising of magnetostrictive and piezoelectric layers. This sensor exploits the magnetically driven resonance shift of a free-standing magnetoelectric micro-beam resonator. Also disclosed is the related method for making an on-chip micro-resonator magnetic sensor.
(FR) L'invention concerne un capteur magnétique à haute sensibilité et à ultra-faible consommation de puissance utilisant un composite magnétoélectrique (ME) comprenant des couches magnétostrictives et piézoélectriques. Ledit capteur exploite le décalage de résonance à guidage magnétique d'un résonateur à micro-faisceau magnétoélectrique autonome. L'invention concerne également le procédé de fabrication associé d'un capteur magnétique de micro-résonateur sur puce.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)