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1. (WO2018225855) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE, ÉLÉMENT D'OSCILLATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2018/225855 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/022013
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 08.06.2018
CIB :
H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
24
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20 ou H01L29/22268
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
Déposants :
株式会社UACJ UACJ CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目7番2号 7-2, Otemachi 1-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
芦澤 公一 ASHIZAWA, Koichi; JP
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2017-11455909.06.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LAYER, OSCILLATION ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LAYER MANUFACTURING METHOD
(FR) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE, ÉLÉMENT D'OSCILLATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体層、発振素子及び半導体層の製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor layer comprises a p-n junction in which an n-type semiconductor (Al2O3(n-type )) having a donor level formed therein due to an excessive content of aluminum (Al) in an aluminum oxide film (Al2O3) is joined to a p-type semiconductor (Al2O3(p-type )) having an acceptor level formed therein due to an excessive content of oxygen (O) in an aluminum oxide film (Al2O3).
(FR) Cette couche semi-conductrice comprend une jonction p-n dans laquelle un semi-conducteur de type n (Al2O3(type n)) ayant un niveau donneur formé en son sein en raison d'une teneur excessive en aluminium (Al) dans un film d'oxyde d'aluminium (Al2O3) est relié à un semi-conducteur de type p (Al2O3(type p)) ayant un niveau accepteur formé en son sein en raison d'une teneur excessive en oxygène (O) dans un film d'oxyde d'aluminium (Al2O3).
(JA) 酸化アルミニウム膜(Al2O3)にアルミニウム(Al)を過剰に含有させることによりドナー準位を形成したn型半導体(Al2O3(n型))と、酸化アルミニウム膜(Al2O3)に酸素(O)を過剰に含有させることによりアクセプタ準位を形成したp型半導体(Al2O3(p型))とを接合したpn接合を含む半導体層である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)