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1. (WO2018225823) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, SUBSTRAT ET STRATIFIÉ
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N° de publication : WO/2018/225823 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/021877
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 07.06.2018
CIB :
H01L 35/26 (2006.01) ,C01B 33/06 (2006.01) ,H01L 35/14 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
26
utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
06
Siliciures métalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
国立大学法人九州大学 KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION [JP/JP]; 福岡県福岡市東区箱崎六丁目10番1号 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8128581, JP
Inventeurs :
寺西 亮 TERANISHI Ryo; JP
宗藤 伸治 MUNETOH Shinji; JP
古君 修 FURUKIMI Osamu; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
石坂 泰紀 ISHIZAKA Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-11435209.06.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME, SUBSTRATE, AND LAMINATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, SUBSTRAT ET STRATIFIÉ
(JA) 半導体基体及びその製造方法、基体並びに積層体
Abrégé :
(EN) The semiconductor substrate contains a clathrate compound with general formula (I). The semiconductor substrate contains a pn junction region and has a variable-composition layer in which the composition of the clathrate compound varies along the thickness direction. In at least a portion of the variable-composition layer the rate of change in y in the thickness direction is at least 1 × 10-4/μm. (I): AxByC46-y In general formula (I), A represents at least one element selected from the group consisting of Ba, Na, Sr, and K; B represents at least one element selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, Ni, and Al; and C represents at least one element selected from the group consisting of Si, Ge, and Sn. x is 7-9 and y is 3.5-6 or 11-17.
(FR) Cette invention concerne un substrat semi-conducteur, contenant un composé de clathrate de formule générale (I). Le substrat semi-conducteur contient une région de jonction p-n et a une couche de composition variable dans laquelle la composition du composé de clathrate varie dans la direction de l'épaisseur. Dans au moins une partie de la couche de composition variable, la vitesse de changement de y dans la direction de l'épaisseur est d'au moins 1 × 10-4-4/μm. (I): AxByC46-y. Dans la formule générale (I), A représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le Ba, le Na, le Sr et le K ; B représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant l'Au, l'Ag, le Cu, le Ni et l'Al ; et C représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant le Si, le Ge et et le Sn. X va de 7 à 9 et y va de 3,5 à 6 ou de 11 à 17.
(JA) 半導体基体は、下記一般式(I)のクラスレート化合物を含む。半導体基体は、pn接合部を含み、且つ、クラスレート化合物の組成が厚さ方向に沿って変化する組成変化層を有する。組成変化層の少なくとも一部は、厚さ方向におけるyの変化率が1×10-4/μm以上である。 A46-y (I) 一般式(I)中、Aは、Ba,Na,Sr及びKからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を示し、Bは、Au,Ag,Cu,Ni及びAlからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を示し、Cは、Si,Ge及びSnからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を示す。xは7~9であり、yは3.5~6又は11~17である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)