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1. (WO2018225661) PROCÉDÉ DE GRAVURE
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N° de publication : WO/2018/225661 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/021277
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 01.06.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
Inventeurs :
福世 知行 FUKUYO Tomoyuki; JP
Mandataire :
田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu; JP
森 哲也 MORI Tetsuya; JP
Données relatives à la priorité :
2017-11342508.06.2017JP
Titre (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
Abrégé :
(EN) Provided is an etching method by which the etching speed for a silicon nitride layer and the etching speed for a silicon oxide layer can be set approximately equal. According to the present invention, a to-be-processed object provided with a laminated film (5) having silicon oxide layers (2) and silicon nitride layers (3) stacked on top of each other is processed with an etching gas containing a halocarbon compound comprising carbon, bromine, and fluorine. The silicon oxide layers (2) and the silicon nitride layers (3) are etched at approximately equal etching speeds.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure par lequel la vitesse de gravure pour une couche de nitrure de silicium et la vitesse de gravure pour une couche d'oxyde de silicium peuvent être réglées approximativement égales. Selon la présente invention, un objet à traiter comprend un film stratifié (5) ayant des couches d'oxyde de silicium (2) et des couches de nitrure de silicium (3) empilées les unes sur les autres est traitées avec un gaz de gravure contenant un composé halocarboné comprenant du carbone, du brome et du fluor. Les couches d'oxyde de silicium (2) et les couches de nitrure de silicium (3) sont gravées à des vitesses de gravure approximativement égales.
(JA) シリコン窒化物層のエッチング速度とシリコン酸化物層のエッチング速度を同程度に制御することができるエッチング方法を提供する。積層されたシリコン酸化物層(2)とシリコン窒化物層(3)とを有する積層膜(5)を備える被処理体を、炭素、臭素、及びフッ素からなるハロゲン化炭素化合物を含有するエッチングガスにより処理する。すると、シリコン酸化物層(2)とシリコン窒化物層(3)とが、同程度のエッチング速度でエッチングされる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)