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1. (WO2018225415) SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À FILM
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N° de publication : WO/2018/225415 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/016866
Date de publication : 13.12.2018 Date de dépôt international : 25.04.2018
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 29.10.2018
CIB :
H01L 41/318 (2013.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/257 (2013.01) ,H04R 17/00 (2006.01) ,H04R 31/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
318
par dépôt sol-gel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
113
à entrée mécanique et sortie électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
253
Traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode
257
par polarisation
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
R
HAUT-PARLEURS, MICROPHONES, TÊTES DE LECTURE POUR TOURNE-DISQUES OU TRANSDUCTEURS ACOUSTIQUES ÉLECTROMÉCANIQUES ANALOGUES; APPAREILS POUR SOURDS; SYSTÈMES D'ANNONCE EN PUBLIC
17
Transducteurs piézo-électriques; Transducteurs électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
R
HAUT-PARLEURS, MICROPHONES, TÊTES DE LECTURE POUR TOURNE-DISQUES OU TRANSDUCTEURS ACOUSTIQUES ÉLECTROMÉCANIQUES ANALOGUES; APPAREILS POUR SOURDS; SYSTÈMES D'ANNONCE EN PUBLIC
31
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
Déposants :
国立大学法人熊本大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KUMAMOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 熊本県熊本市中央区黒髪二丁目39番1号 39-1, Kurokami 2-chome, Chuo-ku, Kumamoto-shi, Kumamoto 8608555, JP
Inventeurs :
小林 牧子 KOBAYASHI Makiko; JP
中妻 啓 NAKATSUMA Kei; JP
田邉 将之 TANABE Masayuki; JP
Mandataire :
羽立 章二 HADATE Shoji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-11469409.06.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING FILM SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À FILM
(JA) 基板及び膜基板生産方法
Abrégé :
(EN) Proposed is a method for producing a film substrate, by which a film substrate is produced by forming a film on a substrate, said film being capable of operating at high temperatures, by mixing a powder of a ferroelectric body and a sol-gel solution of a dielectric body with each other. According to the present invention, a film substrate is produced by forming a film on a substrate using a mixture of a powder and a sol-gel solution. The powder is composed of CaBi2Ta2O9. The mixture of a powder and a sol-gel solution is a mixture of a CaBi4Ti4O15 powder and a sol-gel solution of Bi4Ti3O12 and/or (Ba, Sr)TiO3. Consequently, a high sound wave transducer or a pressure sensitive sensor, which operates properly at 700°C and even at extremely high temperatures exceeding 800°C, is able to be produced. In addition, according to the present invention, polarization is able to be performed at, for example, 400°C or even around room temperature.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un substrat à film permettant de produire un substrat à film par formation d'un film sur un substrat, ledit film pouvant fonctionner à des températures élevées, par mélange d'une poudre d'un corps ferroélectrique et d'une solution sol-gel d'un corps diélectrique entre elles. Selon la présente invention, un substrat à film est produit par formation d'un film sur un substrat à l'aide d'un mélange d'une poudre et d'une solution sol-gel. La poudre est composée de CaBi2Ta2O9. Le mélange d'une poudre et d'une solution sol-gel est un mélange d'une poudre de CaBi4Ti4O15 et d'une solution sol-gel de Bi4Ti3O12 et/ou de (Ba, Sr)TiO3. Par conséquent, un transducteur à ondes sonores élevées ou un capteur sensible à la pression, qui fonctionne correctement à 700 °C et même à des températures extrêmement élevées dépassant 800 °C, peut être produit. De plus, selon la présente invention, une polarisation peut être effectuée, par exemple, à 400 °C ou même à une température proche de la température ambiante.
(JA) 基板の上に、強誘電体の粉末と誘電体のゾルゲル溶液を混合して、高温下において動作可能な膜を作製して膜基板を生産する膜基板生産方法を提案する。基板の上に、粉末とゾルゲル溶液の混合体を用いて膜を作製して、膜基板を生産する。粉末はCaBi2Ta29である。また、粉末とゾルゲル溶液の混合体は、CaBi4Ti415の粉末と、Bi4Ti312及び/又は(Ba,Sr)TiO3のゾルゲル溶液の混合体である。これにより、700℃、さらには、800℃を超える極めて高い温度下でも正常に動作する高音波トランスデューサや感圧センサを作製することができる。さらに、分極処理は、例えば400℃、さらには室温程度の温度で可能である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)